Wydział Elektryczny WE

Katedra Elektroniki Morskiej, zakres badań naukowych: modelowanie analiza i pomiary elementów i układów elektronicznych z uwzględnieniem występujących w nich zjawisk cieplnych, modelowanie analiza właściwości elektronicznych układów zasilających oraz półprzewodnikowych źródeł światła, metody pomiaru parametrów cieplnych elementów i układów elektronicznych, badanie właściwości elementów i układów mikrofalowych oraz zastosowanie techniki laserowej, analiza właściwości ogniw, paneli i instalacji fotowoltaicznych, wytwarzanie wodoru i modelowanie elektrolizera, badanie wpływu rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne elementów półprzewodnikowych.

2023 r.

1. M. Budnarowska, J. Mizeraczyk, K. Bargieł; Development of the EM field in a shielding enclosure with aperture after interference caused by a subnanosecond high-power parallelly polarized EM plane wave pulse; Energies; 2023, vol. 16 (issue 2), art. no. 585, s. 1-27
2. J. Zarębski, D. Bisewski; The modeling of GaN-FET power devices in SPICE; Energies; 2023, vol. 16 (issue 22), art. no. 7643, s. 1-16
3. J. Zarębski, D. Bisewski, K. Kaczerski; Modelowanie diod SiCPiN w programie SPICE; Przegląd Elektrotechniczny; 2023, r. 99 (nr 10), s. 220-223
4. D. Bisewski, E. Lubicz-Krośnicka; Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE; Przegląd Elektrotechniczny; 2023, r. 99 (nr 9), s. 289-292

2022 r.

1. M. Budnarowska, J. Mizeraczyk, D. Bisewski; Skuteczność ekranowania ultrakrótkich impulsów elektromagnetycznych przez obudowę z otworem; Przegląd Elektrotechniczny, 2022, r. 98 (nr 2), s. 110-113 ;
2. J. Dąbrowski, P. Stokowska; Włókna przewodzące wykorzystywane w druku 3D - eksperymentalna ocena właściwości surowych włókien i wydruków testowych; Przegląd Elektrotechniczny, 2022, r. 98 (nr 2), s. 136-139 ;
3. D. Bisewski; Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych; Przegląd Elektrotechniczny, 2022, r. 98 (nr 9), s. 103-106 ;

2021 r.

1. N. Porplytsya, M. Dyvak, J. Zarębski, K. Górecki, Y. Maslyiak; Modeling of photovoltaic installation performance taking into account seasonal phenomena of different climate zones; Advances in Intelligent Systems and Computing V : Selected Papers from the International Conference on Computer Science and Information Technologies, CSIT 2020, September 23-26, 2020, Zbarazh, Ukraine, Zbarazh, UA, 2020.09.23, 2020.09.26, Cham : Springer, 2021, s. 433-446
2. P. Górecki, K. Górecki, J. Zarębski; Accurate circuit-level modelling of IGBTs with thermal phenomena taken into account; Energies, 2021, vol. 14 (issue 9), art. no. 2372, s. 1-18
3. K. Górecki, J. Zarębski, P. Górecki; Influence of thermal phenomena on the characteristics of selected electronics networks; Energies, 2021, vol. 14 (issue 16), art. no. 4750, s. 1-18
4. K. Górecki, J. Dąbrowski, E. Krac; Modeling solar cells operating at waste light; Energies, 2021, vol. 14 (issue 10), art. no. 2871, s. 1-14
5. K. Górecki, J. Dąbrowski, E. Krac; SPICE-aided modeling of daily and seasonal changes in properties of the actual photovoltaic installation; Energies, 2021, vol. 14 (issue 19), art. no. 6247, s. 1-14
6. P. Kaczorek, D. Bisewski; Podstawy programowania; Uniwersytet Morski w Gdyni, Gdynia : Uniwersytet Morski w Gdyni, 2021, 101 s.
7. D. Bisewski, E. Lubicz-Krośnicka; Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS; Przegląd Elektrotechniczny, 2021, r. 97 (nr 12), s. 187-190
8. J. Dąbrowski, J. Łaziński; Zastosowanie programu OptiSystem w modelowaniu oraz prezentacji właściwości układów i systemów światłowodowych; Przegląd Elektrotechniczny, 2021, r. 97 (nr 2), s. 11-15

2020 r.

1. M. Dyvak, K. Górecki, J. Zarębski, N. Porplytsya, J. Dąbrowski, E. Krac; "Mathematical model of dynamics of generated electric power by photovoltaic installation taking into account a seasonality factor"; 2020 10th International Conference on Advanced Computer Information Technologies, ACIT'2020; Deggendorf, DE, 2020.09.16, 2020.09.18; Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2020, s. 117-121
2. K. Bargieł, D. Bisewski, J. Zarębski; "Modelling of dynamic properties of silicon carbide junction field-effect transistors (JFETs)"; Energies, 2020, vol. 13 (issue 1), art. no. 187, s. 1-9
3. D. Bisewski; "Ćwiczenia laboratoryjne z techniki cyfrowej"; Gdynia: Uniwersytet Morski w Gdyni, 2020
4. K. Bargieł; "Modelowanie charakterystyk Cj(U) tranzystora SiC-JFET"; Przegląd Elektrotechniczny, 2020, r. 96 (nr 12), s. 131-133
5. J. Patrzyk, D. Bisewski, J. Zarębski; "Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT"; Przegląd Elektrotechniczny; 2020
6. J. Patrzyk, D. Bisewski, J. Zarębski; "Electrothermal Model of SiC Power BJT", Energies 2020, 13(10), 2617

2019 r.

1. K. Górecki, J. Dąbrowski: Modelling properties of solar cells irradiated from different lighting sources.13^thIEEE International Conference on Compatibility, Power Electronics andPower Engineering IEEE CPE POWERENG 2019, Sonderborg, 2019, paperSF-001643.
2. K. Górecki, J. Zarębski, P. Górecki, P. Ptak:Compactthermal models of semiconductor devices – a review. InternationalJournal of Electronics and Telecommunications, Vol. 65, No. 2, 2019, pp.151-158.
3. K.Górecki, J. Zarębski, W.J. Stepowicz, P. Górecki, D. Bisewski, K.Detka, P. Ptak, J. Dabrowski, M. Godlewska, K. Bargieł, J. Szelągowska:Modelowanie wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego nacharakterystyki wybranych elementów elektronicznych.XVIII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2019, Darłowo, 2019
4. M.Dyvak, K. Górecki, J. Zarębski, N. Porplytsya, J. Dąbrowski, E. Krac:Mathematical model of weather conditions influence on properties ofphotovoltaic installation and method of its identification. AdvancedComputer Information Technologies ACIT 2019, Ceske Budejovice, 2019, pp.35-39.
5. Compact coplanar-fed tree-shaped antenna; Malinowska, Malgorzata; Kitlinski, Marek, International Journal Of Electronics And Telecommunications,   Volume: 65   Issue: 2   Pages: 175-180   Published: 2019
6. Magdalena Budnarowska, Jerzy Mizeraczyk, Ryszard Studański, Damian Bisewski; Badania symulacyjne właściwości elektromagnetycznych planarnej struktury metamateriałowej SRR-podłoże dielektryczne w zakresie mikrofalowym; Przegląd Elektrotechniczny; 2019
7. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski; Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE; Przegląd Elektrotechniczny; 2019
8. Dąbrowski J.: Techniki szybkiego wytwarzania prototypowych obwodów drukowanych. XVIII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2019, Darłowo, 2019, str. 291-296.
9. Dąbrowski J.: Techniki szybkiego wytwarzania prototypowych obwodów drukowanych. PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN 0033-2097, R. 95 NR 9/2019, str. 165-168.

2018 r.

1. K. Górecki, P. Górecki, J. Zarębski: Electrical modelof the alkaline electrolyser dedicated for SPICE.International Journal ofCircuit Theory and Applications, Vol. 46, No. 5, 2018, pp. 1044-1054.
2. P. Górecki, K. Górecki, J. Zarębski:Thermalmodel of the IGBT module. Journal of Physics: Conference Series, Vol.1033, 2018, 012001, pp. 1-7, doi: 10.1088/1742-6596/1033/1/012001
3. J. Dąbrowski, E. Krac, K. Górecki:New model of solar cells for SPICE. Proceedings of 25^thInternational Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2018, Gdynia, 2018, pp. 338-342.
4. E.Krac, J. Dąbrowski, K. Górecki, J. Zarębski: Modelowanie charakterystykmonokrystalicznych ogniw fotowoltaicznych przy różnych warunkachoświetlenia.Przegląd Elektrotechniczny, R. 94, Nr 9, 2018, s. 52-55.
5. The triangular patch antenna for uwb applications; Malinowska, Malgorzata; Kitlinski, Marek; Przegląd Elektrotechniczny,   Volume: 94   Issue: 9   Pages: 32-35   Published: 2018
6. Kamil Bargieł, Damian Bisewski; Evaluation of accuracy of SiC-JFET macromodel; ITM Web of Conferences; 2018.09
7. Kamil Bargieł, Damian Bisewski; Ocena dokładności firmowego makromodelu tranzystora SiC-JFET; Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018.09
8. Kamil Bargieł, Damian Bisewski; Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET; Przegląd Elektrotechniczny; 2018.08
9. Szelągowska, J. , Zarębski, J., "Pomiary i obliczenia pojemności tranzystorów mocy BJT i SJT wykonanych z węglika krzemu", Poznan University of Technology Academic Journals, Electrical Engineering, No. 95, pages 9-18, 2018
10. Szelągowska J., "Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT", Przegląd Elektrotechniczny, R. 94, NR 8/2018, strony 75-78
11. Szelągowska J., Zarębski J., "Measurements and calculations of capacitances of BJT and SJT made of silicon carbide",    ITM Web of Conferences, Computer Applications in Electrical Engineering (ZKwE’2018), Vol. 19, 2018, 23-24 kwietnia, Poznań, Polska

2017 r.

1. K. Górecki, J. Zarębski, P. Górecki, S.Halbryt:The power supply of the hydrogen generator. 3^rdInternational Congress on Energy Efficiency and Energy RelatedMaterials (ENEFM2015), Springer Proceedings in Energy, 2017, pp.221-227.
2. P. Górecki, K. Górecki, E. Krac, J. Zarębski:The useof photo-voltaic panelsto charge mobile electronic devices. 3^rdInternational Congress on Energy Efficiency and Energy RelatedMaterials (ENEFM2015), Springer Proceedings in Energy, 2017, pp.229-234.
3. J. Dąbrowski, E. Krac, K. Górecki:Analysis of long-time efficiency of the photovoltaic installation. Przegląd Elektrotechniczny, R. 93, nr 2, 2017, s. 202-205.
4. K.Górecki, D. Bisewski, J. Zarębski, R. Kisiel, M. Myśliwiec:Investigations of mutual thermal coupling between SiC Schottky diodessituated in the common case. Circuit World, Vol. 43, No. 1, 2017, pp.38-42.
5. P.Ptak,K.Górecki,J.Zarębski: Układy zasilające stosowane w lampach LED. Przegląd Elektrotechniczny, R. 93, nr 3, 2017, s. 167-170.
6. K.Detka, K. Górecki, J. Zarębski: Modeling single inductor dc - dcconverters with thermal phenomena in the inductor taken into account.IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 32, No. 9, 2017, pp.7025-7033.
7. P.Ptak, K. Górecki, J. Zarębski: Badanie wybranych właściwości lamp LED.XL Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów SPETO 2017,Ustroń, 2017, s. 79-80.
8. J.Dąbrowski, K. Niklaszewski, K. Górecki: Badanie wpływu zacienienia iwygięcia na charakterystyki elastycznego panelu fotowoltaicznego.Elektronika, nr 5, 2017, s.24-27.
9. P. Górecki, K. Górecki, J. Zarębski: Modelowanie właściwości elektrolizera w programie SPICE.XVI Krajowa Konferencja Elektroniki KKE, Darłowo, 2017, s. 189-194.
10. Górecki K., Górski K., Zarębski J.:Investigationson the Influence of Selected Factors on Thermal Parameters ofImpulse-Transformers. Informacije MIDEM – Journal of Microelectronics,Electronic Components and Materials, Vol. 47, No. 1, 2017, pp. 3-13.
11. P. Górecki, K. Górecki, J. Zarębski:Thermal model of the IGBT module.Proceedings of Microtherm 2017 Microtechnology and Thermal problems in Electronics, Łódź, 2017, pp. 32-34.
12. P.Górecki, K. Górecki, J. Zarębski: Badanie właściwości wybranych modelitranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką. Przegląd Elektrotechniczny,R. 93, Nr 7, 2017, s. 81-85.
13. K.Górecki, J. Dąbrowski, E. Krac, J. Zarębski: Modelling the influence ofweather conditions on properties of the photovoltaic installation.Proceedings of the 24^thInternational Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems Mixdes 2017, Bydgoszcz 2017, pp. 366-371.
14. P.Górecki, K. Górecki, J. Zarębski: Modelowanie właściwości elektrolizeraw programie SPICE. Elektronika, nr 10, 2017, s. 15-18.
15. P.Górecki, K. Górecki, J. Zarębski: Modelling the temperature influenceon dc characteristics of the IGBT. Microelectronics Reliability, Vol.79, 2017, pp. 96-103.
16. P. Ptak, K. Górecki, J. Zarębski:Investigationsof the selected properties of LED lamps. Prace Naukowe PolitechnikiŚląskiej "Elektryka" 2017, nr 1 (240), s. 7-13.
17. Joanna Patrzyk, Damian Bisewski; Measurements and simulations of silicon carbide current-controlled transistors; Proceedings of the 21st European Microelectronics Packaging Conference (EMPC 2017); 2017.09
18. Kamil Bargieł, Damian Bisewski; Modelling of silicon carbide JFET in SPICE; Proceedings of the 21st European Microelectronics Packaging Conference (EMPC 2017); 2017.09
19. Damian Bisewski; Parameters estimation of SPICE models for silicon carbide devices; Proceedings of the 21st European Microelectronics Packaging Conference (EMPC 2017); 2017.09

2016 r.

1. K. Górecki, K. Detka, J. Zarębski, A. Wierszyło: Wpływ rdzenia dławika na charakterystyki przetwornicy Buck.Przegląd Elektrotechniczny, R. 92, Nr 4, 2016, s. 137-139.
2. P.Ptak,K.Górecki,J.Zarębski:Układy zasilające stosowane w lampach LED. XXXIX Konferencja z PodstawElektrotechniki i Teorii Obwodów SPETO 2016, Ustroń, 2016, s. 79-80.
3. D. Bisewski, M. Myśliwiec, K. Górecki, R. Kisiel, J. Zarębski: Investigationsof selected thermal properties of packages of SiC Schottkydiodes. Metrology and Maesurement Systems, Vol. 23, No. 3, 2016, pp. 451-459.
4. K.Górecki, D. Bisewski, J. Zarębski, R. Kisiel, M. Myśliwiec:High-temperature properties of Schottky diodes made of silicon carbide.Proceedings of 23^rdInternational Conference Mixed Design of Integrated Circuits and systems MIXDES 2016, Łódź, 2016, p. 382-386.
5. J. Dąbrowski, E. Krac, K. Górecki:Analysis of long-time efficiency of the photovoltaic installation. 40^thInternational Microelectronics and Packaging IMAPS Poland 2016 Conference, Book of Abstracts, Wałbrzych, 2016, pp. 56-57.
6. K.Górecki, D. Bisewski, J. Zarębski, R. Kisiel, M. Myśliwiec:Investigations of mutual thermal coupling between SiC Schottky diodessituated in the common case. 40^thInternational Microelectronics and Packaging IMAPS Poland 2016 Conference, Book of Abstracts, Wałbrzych, 2016, pp. 78-79.
7. Damian Bisewski, Joanna Patrzyk, Janusz Zarębski; DC characteristics and parameters of silicon carbide high-voltage power BJTs; IOP Conference Series : Materials Science & Engineering; 2016.09
8. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski; SPICE-aided modeling of high-voltage silicon carbide JFETs; IOP Conference Series : Materials Science and Engineering; 2016.09
9. Damian Bisewski, Janusz Zarębski; Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą; Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016.09
10. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski, Ewelina Szarmach; Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET; Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni; 2016.11
11. Patrzyk J., "Modelowanie tranzystorów mocy SiC BJT w programie PSPICE", Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni 2016, nr 95, strony 168--176
12. Zarębski J., Patrzyk J., "Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu", Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania, 2016, Vol. 57, nr 1, strony 43--46

2015 r.

1. BisewskiD., Górecki K., Zarębski J.: Zależność parametrów modelu przejściowejimpedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układuchłodzenia.Przegląd Elektrotechniczny, R. 91, nr 4, 2015, s. 139-143.
2. Górecki K., Detka K., Zarębski J., Wierszyło A.: Wpływrdzenia dławika na charakterystyki przetwornicy buck. XXXVIIIMiędzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki iTeorii ObwodówIC-SPETO, Ustroń, 2015, s. 49-50.
3. Detka K., Górecki K., Zarębski J.:Modelowanie charakterystyk przetwornicy buck z uwzględnieniem zjawisk cieplnych w dławiku.XIV Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2015, Darłowo, 2015, s. 232-237.
4. GóreckiK., Zarębski J., Bisewski D.: An influence of the selected factors onthe transient thermal impedance model of power MOSFET. Informacije MIDEM– Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials,Vol. 45, No.2, 2015, pp. 110-116.
5. Górecki K., Krac E., Zarębski J.:Photo-electro-thermal characteristics of photovoltaic panels. Springer Proceedings in Energy, 2^ndInternational Congress on energy Efficiency and Energy RelatedMaterials ENEFM 2014, Oludeniz, 2015, pp. 45-51, doi:10.1007/978-3-319-16901-9_6.
6. Górecki K., Zarębski J., Górecki P., Halbryt S.:Modelling and the analysisof the power supply system forthe generator of hydrogen. Springer Proceedings in Energy, 2^ndInternational Congress on energy Efficiency and Energy RelatedMaterials ENEFM 2014, Oludeniz, 2015, pp. 451-457, doi:10.1007/978-3-319-16901-9_54.
7. GóreckiK., Zarębski J., Detka K.: Application of the electrothermal averageinductor model for analyses of boost converters. Proceedings of 22^ndInternational Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems Mixdes 2015, Toruń, 2015, pp. 417-421.
8. D. Bisewski, M. Myśliwiec, K. Górecki, R. Kisiel, J. Zarębski:The investigationof thermal properties of the selected packages constructions for silicon carbideSchottkydiodes.39^thInternational Microelectronics and Packaging Conference IMAPS 2015, Gdańsk, 2015, paper 138.
9. Detka K., Górecki K., Zarębski J.:Modelowanie charakterystyk przetwornicy buck z uwzględnieniem zjawisk cieplnych w dławiku.Elektronika, Nr 9, 2015, s. 40-42.
10. K. Górecki, J. Zarębski, P. Górecki, S.Halbryt:The power supply of the hydrogen generator. Book of Abstracts ENEFM 2015, Oludeniz, 2015, p. 183
11. P. Górecki, K. Górecki, E. Krac, J. Zarębski:The useof photo-voltaic panelsto charge mobile electronic devices. Book of Abstracts ENEFM 2015, Oludeniz, 2015, p. 184
12. On the low-cost design of abbreviated multisection planar matching transformer; Kurgan, Piotr; Bekasiewicz, Adrian; Kitlinski, Marek; Microwave And Optical Technology Letters   Volume: 57   Issue: 3   Pages: 521-525   Published: MAR 2015
13. Patrzyk J., Zarębski J., Bisewski D.,"DC characteristics and parameters of silicon carbide high-voltage power BJTs", IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, Vol. 104, 39th International Microelectronics and Packaging IMAPS Poland 2015 Conference, 20–23 Wrzesień 2015, Gdańsk, Polska

2014 r.

1. Górecki K., Zarębski J. Modeling the influence of selected factors on thermal resistance of semiconductor devices. IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Vol. 4, No. 3, 2014, pp. 421-428. ISSN 2156-3950
2. Górecki K., Zarębski J. The semiconductor device thermal model taking into account non-linearity and multhipathing of the cooling system. International Conference on Microtechnology and thermal Problems in Electronics (MICROTHERM) Journal of Physics: Conference Series, Vol. 494, 2014, 012008, doi:10.1088/1742-6596/494/1/012008. ISSN 1742-6588
3. Górecki K., Rogalska M., Zarębski J. Parameter estimation of the electrothermal model of the ferromagnetic core. Microelectronics Reliability, Vol. 54, No. 5, 2014, pp. 978-984. ISSN 0026-2714
4. Zarębski J., Górecka K., Górecki K. Analiza wpływu nieliniowoœci modelu termicznego tranzystora MOS mocy na charakterystyki przetwornicy BOOT. Poznan University of Technology Academic Journal, Electrical Engineering, No. 80, 2014, pp. 9-17. ISSN 1897-0737
5. Zarębski J., Górecki K. The Influence of the Construction of the Cooling System of Semiconductor Devices on the Watt-Hour Efficiency of DC-DC Converters. International Congress on Energy Efficiency and Energy Related Materials (ENEFM2013), 155, 2014, pp. 155-160, doi: 10.1007/978-3-319-05521-3_20. ISSN: 0930-8989
6. Górecki K., Zarębski J. The Influence of the Material of the Transformer Core on Characterisitics of the Selected DC-DC Converters. International Congress on Energy Efficiency and Energy Related Materials (ENEFM2013), 155, 2014, pp. 185-190, doi: 10.1007/978-3-319-05521-3_24. ISSN: 0930-8989
7. Zarębski J., Bisewski D., Dąbrowski J., Górecki K., Bargieł K., Patrzyk J. Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu - pomiary, modelowanie i aplikacje. Elektronika, Nr 8, 2014, s. 22-25. ISSN 0033-2089
8. Górecki K., Zarębski J. The influence of the selected factors on transient thermal impedance of semiconductor devices. Proceedings of the 21st International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES, 2014, Lublin, pp. 309-314.
9. Łoziński A. Ferroelektryczna ceramika PLZT do zastosowań w detekcji podczerwieni. Elektronika, Nr 8/2014, str. 26-28, Warszawa, ISSN 0033-2089, rok 2014
10. Zarębski J., Bisewski D. Modelling of MESFET in SPICE including selfheating. International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields Nr 27 tom/nr zeszytu 4, str. 691-699, ISSN 0894-3370, 2014
11. Zarębski J., Bisewski D., Patrzyk J. Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu Elektronika Nr 10 , str. 114-117, ISSN 0033-2089, 2014

2013 r.

1. Bisewski D., Zarębski J., Laboratorium pomiarów elementów i układów elektronicznych, Electrical Engineering, Academic Journals, Poznan University of Technology, Issue 76, 2013, pp. 251-258.
2. Górecki K., Zarębski J.: Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejœciową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS. XII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2013, Darłówko Wschodnie, 2013, s. 123-128.
3. Górecki K., Zarębski J., Detka K.: Wpływ doboru rdzenia dławika na charakterystyki przetwornic BOOST. XXXVI Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO 2013, Ustroń, 2012, s. 29-30.
4. Bisewski D., Bargieł K., Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.: New Laboratories in the Department of Marine Electronics in Gdynia Maritime University. Maritime Navigation and Safety of Sea Transportation, TransNav 2013, CRC Press, Gdynia, 2013, pp. 67-71.
5. Górecki K., Zarębski J.: Semiconductor component thermal model taking into account non-linearity and multhipathing of the cooling system. Proceedings of Microtherm 2013 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics, 2013, ŁódŸ, pp. 71-77.
6. Górecki K., Detka K., Zarębski J., Rogalska M.: Modelling the influence of temperature on the characteristics of the ferromagnetic core. Proceedings of Microtherm 2013 Microtechnology and Thermal Problems in Electronics, 2013, ŁódŸ, pp. 99-105.
7. Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.: Measuring System for Determining Thermal Parameters of Semiconductor Devices. Proceedings of the 20th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2013, Gdynia, pp. 316-320.
8. Górecki K., Rogalska M., Zarębski J.: Parameter estimation of the electrothermal model of the ferromagnetic core. Proceedings of the 20th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2013, Gdynia, pp. 435-439.
9. Zarębski J., Górecki K.: The Influence of the Construction of the Cooling System of Semiconductor Devices on the Watt-Hour Efficiency of DC-DC Converters. Book of Abstracts International Congress on Energy Efficiency and Energy Related Materials, Antalya, 2013, p.268.
10. Górecki K., Zarębski J.: The Influence of the Material of the Transformer Core on Characteristics of the Selected DC-DC Converters. Book of Abstracts International Congress on Energy Efficiency and Energy Related Materials, Antalya, 2013, p.269.
11. Zarębski J, Górecki K.: Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych diody LED i fototranzystora zawartych w transoptorze. Zgłoszenie patentowe nr P387156, 2009-01-28. Patent RP nr 215895 przyznany 2013-04-23.
12. Górecki K., Zarębski J., Górecki P.: Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego mocy z izolowaną bramką. Zgłoszenie patentowe nr P403813, 2013-05-09.
13. Górecki K., Zarębski J., Rogalska M.: Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych transformatora. Zgłoszenie patentowe nr P404668, 2013-07-12.
14. Górecki K., Zarębski J., Detka K., Rogalska M.: Sposób i układ do pomiaru własnych wzajemnych rezystancji termicznych elementu indukcyjnego". Zgłoszenie na Patent Europejski EP 13460073 z dnia 2013-11-08.
15. UMO-2011/01/B/ST7/06740 "Globalny skupiony nieliniowy model termiczny elementu półprzewodnikowego do analizy układów elektronicznych", główny wykonawca, realizacja od 2011-12-07 do 2014-10-06 (34 miesiące), kierownik prof. dr hab. inż. Janusz Zarębski
16. 30/PMPP/w/21-09.11/2012 "Uzyskanie patentów krajowych i międzynarodowych na metody i układy do pomiaru parametrów cieplnych elementów elektronicznych", kierownik projektu, realizacja od 2012-06-01 do 2019-11-30
17. Górecki K., Detka K., Zarębski J.: Pomiary wybranych parametrów i charakterystyk materiałów i elementów magnetycznych. Elektronika, Nr 1, 2013, s. 18-22.
18. Górecki K., Zarębski J.: Metodyka formułowania wielodrogowego nieliniowego skupionego modelu termicznego elementu półprzewodnikowego. Elektronika, Nr 1, 2013, s. 22-25.
19. Górecki K., Zarębski J.: Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejœciową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS. Elektronika, Nr 9, 2013, s. 111-113.
20. Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.: System pomiarowy do wyznaczania parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych. Elektronika nr 12, 2013, s.32-35.