dr inż. Damian BISEWSKI

dr inż. Damian BISEWSKI

Dorobek naukowy

  • Pełna lista publikacji jest dostępna TUTAJ

 

  • 2020
    1. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski; Modelling of dynamic properties of silicon carbide junction field-effect transistors (JFETs); Energies; 2020
    2. Joanna Patrzyk, Damian Bisewski, Janusz Zarębski; Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT; Przegląd Elektrotechniczny; 2020
    3. Patrzyk J., Bisewski D., Zarębski J., "Electrothermal Model of SiC Power BJT", Energies 2020, 13(10), 2617
  • 2019
    1. Magdalena Budnarowska, Jerzy Mizeraczyk, Ryszard Studański, Damian Bisewski; Badania symulacyjne właściwości elektromagnetycznych planarnej struktury metamateriałowej SRR-podłoże dielektryczne w zakresie mikrofalowym; Przegląd Elektrotechniczny; 2019
    2. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski; Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE; Przegląd Elektrotechniczny; 2019
    3. Krzysztof Górecki, Janusz Zarębski, Witold Stepowicz, Paweł Górecki, Damian Bisewski, Kalina Detka, Przemysław Ptak, Jacek Dąbrowski, Małgorzata Godlewska, Kamil Bargieł, Joanna Patrzyk; Modelowanie wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego na charakterystyki wybranych elementów elektronicznych; Przegląd Elektrotechniczny; 2019
  • 2018
    1. Kamil Bargieł, Damian Bisewski; Evaluation of accuracy of SiC-JFET macromodel; ITM Web of Conferences; 2018.09
    2. Kamil Bargieł, Damian Bisewski; Ocena dokładności firmowego makromodelu tranzystora SiC-JFET; Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2018.09
    3. Kamil Bargieł, Damian Bisewski; Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET; Przegląd Elektrotechniczny; 2018.08
  • 2017
    1. Krzysztof Górecki, Damian Bisewski, Janusz Zarębski, Ryszard Kisiel, Marcin Myśliwiec; Investigations of mutual thermal coupling between SiC Schottky diodes situated in the common case; CIRCUIT WORLD; 2017.01
    2. Joanna Patrzyk, Damian Bisewski; Measurements and simulations of silicon carbide current-controlled transistors; Proceedings of the 21st European Microelectronics Packaging Conference (EMPC 2017); 2017.09
    3. Kamil Bargieł, Damian Bisewski; Modelling of silicon carbide JFET in SPICE; Proceedings of the 21st European Microelectronics Packaging Conference (EMPC 2017); 2017.09
    4. Damian Bisewski; Parameters estimation of SPICE models for silicon carbide devices; Proceedings of the 21st European Microelectronics Packaging Conference (EMPC 2017); 2017.09
  • 2016
    1. Damian Bisewski, Joanna Patrzyk, Janusz Zarębski; DC characteristics and parameters of silicon carbide high-voltage power BJTs; IOP Conference Series : Materials Science & Engineering; 2016.09
    2. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski; SPICE-aided modeling of high-voltage silicon carbide JFETs; IOP Conference Series : Materials Science and Engineering; 2016.09
    3. Damian Bisewski, Krzysztof Górecki, Janusz Zarębski, Marcin Myśliwiec, Ryszard Kisiel; Examinations of selected thermal properties of packages of SiC Schottky diodes; Metrology and Measurement Systems; 2016.09
    4. Damian Bisewski, Krzysztof Górecki, Janusz Zarębski, Ryszard Kisiel, Marcin Mysliwiec; High-temperature properties of Schottky diodes made of silicon carbide; MIXDES 2016 : proceedings of the 23rd International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, Łódź, Poland, 23-25 June 2016; 2016.06
    5. Damian Bisewski, Janusz Zarębski; Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą; Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016.09
    6. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski, Ewelina Szarmach; Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET; Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni; 2016.11

Podmiot udostępniający: 

WE

Wytworzył informację:

Ł.Buchert
12.05.2020
Wprowadzenie:
Ł.Buchert 12.05.2020
Ostatnia modyfikacja:
Ł.Buchert 26.10.2020