prof. dr hab. inż. Janusz ZARĘBSKI, prof. zw. UMG

prof. dr hab. inż. Janusz ZARĘBSKI, prof. zw. UMG

Dorobek naukowy

  • Pełna lista publikacji jest dostępna TUTAJ

 

  • 2020
    1. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski; Modelling of dynamic properties of silicon carbide junction field-effect transistors (JFETs); Energies; 2020
    2. Joanna Patrzyk, Damian Bisewski, Janusz Zarębski; Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT; Przegląd Elektrotechniczny; 2020
    3. Patrzyk J., Bisewski D., Zarębski J., "Electrothermal Model of SiC Power BJT", Energies 2020, 13(10), 2617
  • 2019
    1. K. Górecki, J. Zarębski, P. Górecki, P. Ptak:Compactthermal models of semiconductor devices – a review. InternationalJournal of Electronics and Telecommunications, Vol. 65, No. 2, 2019, pp.151-158.
    2. K.Górecki, J. Zarębski, W.J. Stepowicz, P. Górecki, D. Bisewski, K.Detka, P. Ptak, J. Dabrowski, M. Godlewska, K. Bargieł, J. Szelągowska:Modelowanie wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego nacharakterystyki wybranych elementów elektronicznych.XVIII Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2019, Darłowo, 2019
    3. M.Dyvak, K. Górecki, J. Zarębski, N. Porplytsya, J. Dąbrowski, E. Krac:Mathematical model of weather conditions influence on properties ofphotovoltaic installation and method of its identification. AdvancedComputer Information Technologies ACIT 2019, Ceske Budejovice, 2019, pp.35-39.
    4. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski; Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE; Przegląd Elektrotechniczny; 2019
  • 2018
    1. K. Górecki, P. Górecki, J. Zarębski: Electrical modelof the alkaline electrolyser dedicated for SPICE.International Journal ofCircuit Theory and Applications, Vol. 46, No. 5, 2018, pp. 1044-1054.
    2. P. Górecki, K. Górecki, J. Zarębski:Thermalmodel of the IGBT module. Journal of Physics: Conference Series, Vol.1033, 2018, 012001, pp. 1-7, doi: 10.1088/1742-6596/1033/1/012001
    3. E.Krac, J. Dąbrowski, K. Górecki, J. Zarębski: Modelowanie charakterystykmonokrystalicznych ogniw fotowoltaicznych przy różnych warunkachoświetlenia.Przegląd Elektrotechniczny, R. 94, Nr 9, 2018, s. 52-55.
    4. Szelągowska, J. , Zarębski, J., "Pomiary i obliczenia pojemności tranzystorów mocy BJT i SJT wykonanych z węglika krzemu", Poznan University of Technology Academic Journals, Electrical Engineering, No. 95, pages 9-18, 2018
    5. Szelągowska J., Zarębski J., "Measurements and calculations of capacitances of BJT and SJT made of silicon carbide",    ITM Web of Conferences, Computer Applications in Electrical Engineering (ZKwE’2018), Vol. 19, 2018, 23-24 kwietnia, Poznań, Polska
  • 2017
    1. K. Górecki, J. Zarębski, P. Górecki, S.Halbryt:The power supply of the hydrogen generator. 3rdInternational Congress on Energy Efficiency and Energy RelatedMaterials (ENEFM2015), Springer Proceedings in Energy, 2017, pp.221-227.
    2. P. Górecki, K. Górecki, E. Krac, J. Zarębski:The useof photo-voltaic panelsto charge mobile electronic devices. 3rdInternational Congress on Energy Efficiency and Energy RelatedMaterials (ENEFM2015), Springer Proceedings in Energy, 2017, pp.229-234.
    3. K.Górecki, D. Bisewski, J. Zarębski, R. Kisiel, M. Myśliwiec:Investigations of mutual thermal coupling between SiC Schottky diodessituated in the common case. Circuit World, Vol. 43, No. 1, 2017, pp.38-42.
    4. P.Ptak,K.Górecki,J.Zarębski: Układy zasilające stosowane w lampach LED. Przegląd Elektrotechniczny, R. 93, nr 3, 2017, s. 167-170.
    5. K.Detka, K. Górecki, J. Zarębski: Modeling single inductor dc - dcconverters with thermal phenomena in the inductor taken into account.IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 32, No. 9, 2017, pp.7025-7033.
    6. P.Ptak, K. Górecki, J. Zarębski: Badanie wybranych właściwości lamp LED.XL Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów SPETO 2017,Ustroń, 2017, s. 79-80.
    7. P. Górecki, K. Górecki, J. Zarębski: Modelowanie właściwości elektrolizera w programie SPICE.XVI Krajowa Konferencja Elektroniki KKE, Darłowo, 2017, s. 189-194.
    8. Górecki K., Górski K., Zarębski J.:Investigationson the Influence of Selected Factors on Thermal Parameters ofImpulse-Transformers. Informacije MIDEM – Journal of Microelectronics,Electronic Components and Materials, Vol. 47, No. 1, 2017, pp. 3-13.
    9. P. Górecki, K. Górecki, J. Zarębski:Thermal model of the IGBT module.Proceedings of Microtherm 2017 Microtechnology and Thermal problems in Electronics, Łódź, 2017, pp. 32-34.
    10. P.Górecki, K. Górecki, J. Zarębski: Badanie właściwości wybranych modelitranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką. Przegląd Elektrotechniczny,R. 93, Nr 7, 2017, s. 81-85.
    11. K.Górecki, J. Dąbrowski, E. Krac, J. Zarębski: Modelling the influence ofweather conditions on properties of the photovoltaic installation.Proceedings of the 24thInternational Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems Mixdes 2017, Bydgoszcz 2017, pp. 366-371.
    12. P.Górecki, K. Górecki, J. Zarębski: Modelowanie właściwości elektrolizeraw programie SPICE. Elektronika, nr 10, 2017, s. 15-18.
    13. P.Górecki, K. Górecki, J. Zarębski: Modelling the temperature influenceon dc characteristics of the IGBT. Microelectronics Reliability, Vol.79, 2017, pp. 96-103.
    14. P. Ptak, K. Górecki, J. Zarębski:Investigationsof the selected properties of LED lamps. Prace Naukowe PolitechnikiŚląskiej "Elektryka" 2017, nr 1 (240), s. 7-13.
  • 2016
    1. K. Górecki, K. Detka, J. Zarębski, A. Wierszyło: Wpływ rdzenia dławika na charakterystyki przetwornicy Buck.Przegląd Elektrotechniczny, R. 92, Nr 4, 2016, s. 137-139.
    2. P.Ptak,K.Górecki,J.Zarębski:Układy zasilające stosowane w lampach LED. XXXIX Konferencja z PodstawElektrotechniki i Teorii Obwodów SPETO 2016, Ustroń, 2016, s. 79-80.
    3. D. Bisewski, M. Myśliwiec, K. Górecki, R. Kisiel, J. Zarębski: Investigationsof selected thermal properties of packages of SiC Schottkydiodes. Metrology and Maesurement Systems, Vol. 23, No. 3, 2016, pp. 451-459.
    4. K.Górecki, D. Bisewski, J. Zarębski, R. Kisiel, M. Myśliwiec:High-temperature properties of Schottky diodes made of silicon carbide.Proceedings of 23rdInternational Conference Mixed Design of Integrated Circuits and systems MIXDES 2016, Łódź, 2016, p. 382-386.
    5. K.Górecki, D. Bisewski, J. Zarębski, R. Kisiel, M. Myśliwiec:Investigations of mutual thermal coupling between SiC Schottky diodessituated in the common case. 40thInternational Microelectronics and Packaging IMAPS Poland 2016 Conference, Book of Abstracts, Wałbrzych, 2016, pp. 78-79.
    6. Damian Bisewski, Joanna Patrzyk, Janusz Zarębski; DC characteristics and parameters of silicon carbide high-voltage power BJTs; IOP Conference Series : Materials Science & Engineering; 2016.09
    7. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski; SPICE-aided modeling of high-voltage silicon carbide JFETs; IOP Conference Series : Materials Science and Engineering; 2016.09
    8. Damian Bisewski, Janusz Zarębski; Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą; Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016.09
    9. Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski, Ewelina Szarmach; Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET; Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni; 2016.11
    10. Zarębski, J.  Patrzyk, J., "Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu", Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania, 2016, Vol. 57, nr 1, strony 43--46
  • 2015
    1. BisewskiD., Górecki K., Zarębski J.: Zależność parametrów modelu przejściowejimpedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układuchłodzenia.Przegląd Elektrotechniczny, R. 91, nr 4, 2015, s. 139-143.
    2. Górecki K., Detka K., Zarębski J., Wierszyło A.: Wpływrdzenia dławika na charakterystyki przetwornicy buck. XXXVIIIMiędzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki iTeorii ObwodówIC-SPETO, Ustroń, 2015, s. 49-50.
    3. Detka K., Górecki K., Zarębski J.:Modelowanie charakterystyk przetwornicy buck z uwzględnieniem zjawisk cieplnych w dławiku.XIV Krajowa Konferencja Elektroniki KKE 2015, Darłowo, 2015, s. 232-237.
    4. GóreckiK., Zarębski J., Bisewski D.: An influence of the selected factors onthe transient thermal impedance model of power MOSFET. Informacije MIDEM– Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials,Vol. 45, No.2, 2015, pp. 110-116.
    5. Górecki K., Krac E., Zarębski J.:Photo-electro-thermal characteristics of photovoltaic panels. Springer Proceedings in Energy, 2ndInternational Congress on energy Efficiency and Energy RelatedMaterials ENEFM 2014, Oludeniz, 2015, pp. 45-51, doi:10.1007/978-3-319-16901-9_6.
    6. Górecki K., Zarębski J., Górecki P., Halbryt S.:Modelling and the analysisof the power supply system forthe generator of hydrogen. Springer Proceedings in Energy, 2ndInternational Congress on energy Efficiency and Energy RelatedMaterials ENEFM 2014, Oludeniz, 2015, pp. 451-457, doi:10.1007/978-3-319-16901-9_54.
    7. GóreckiK., Zarębski J., Detka K.: Application of the electrothermal averageinductor model for analyses of boost converters. Proceedings of 22ndInternational Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems Mixdes 2015, Toruń, 2015, pp. 417-421.
    8. D. Bisewski, M. Myśliwiec, K. Górecki, R. Kisiel, J. Zarębski:The investigationof thermal properties of the selected packages constructions for silicon carbideSchottkydiodes.39thInternational Microelectronics and Packaging Conference IMAPS 2015, Gdańsk, 2015, paper 138.
    9. Detka K., Górecki K., Zarębski J.:Modelowanie charakterystyk przetwornicy buck z uwzględnieniem zjawisk cieplnych w dławiku.Elektronika, Nr 9, 2015, s. 40-42.
    10. K. Górecki, J. Zarębski, P. Górecki, S.Halbryt:The power supply of the hydrogen generator. Book of Abstracts ENEFM 2015, Oludeniz, 2015, p. 183
    11. P. Górecki, K. Górecki, E. Krac, J. Zarębski:The useof photo-voltaic panelsto charge mobile electronic devices. Book of Abstracts ENEFM 2015, Oludeniz, 2015, p. 184
    12. Patrzyk J., Zarębski J., Bisewski D.,"DC characteristics and parameters of silicon carbide high-voltage power BJTs", IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, Vol. 104, 39th International Microelectronics and Packaging IMAPS Poland 2015 Conference, 20–23 Wrzesień 2015, Gdańsk, Polska
  • 2009
    1. Górecki K., Zarębski J., Electrothermal analysis of the self-excited push-pull dc-dc converter. Microelectronics Reliability, Vol. 49, no.4, 2009, pp. 424-430.
    2. Górecki K., Zarębski J., Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS. Przegląd Elektrotechniczny, R.85, Nr 4, 2009, ss. 159-164.
    3. Górecki K., Zarębski J., SPICE-aided Modeling of Monolithic PWM Switched Voltage Regulators Including the Bipolar Output Stage with Selfheating Taken into Account. Przeglšd Elektrotechniczny, Vol. 85, Nr 10, 2009, ss. 83-90.
    4. Zarębski J., Górecki K., SPICE-aided modelling of dc characteristics of power bipolar transistors with selfheating taken into account. International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks, Devices and Fields, Vol. 22, No. 6, 2009, pp. 422-433.
    5. Górecki K., Zarębski J., Krupa J., Modelowanie układów analogowo-cyfrowych w programie SPICE przy uwzględnieniu samonagrzewania. Elektronika, Nr 2, 2009, ss. 59-63.
    6. Górecki K., Zarębski J., Analiza wpływu samonagrzewania na charakterystyki liniowego stabilizatora napięcia z tranzystorem MOS. Elektronika, Nr 3, 2009, ss. 103-106.
    7. Zarębski J., Bisewski D., Estymacja parametrów modelu Danga tranzystora MOS, Elektronika, Nr 6, 2009, s. 87-90.
    8. Zarębski J., Bisewski D., Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE, Elektronika, Nr 6, 2009, s. 96-100.
    9. Zarębski J., Bisewski D., Modelowanie tranzystorów SiC-MOS, Elektronika - konstrukcje, technologie, zastosowania, Nr 7, 2009, s. 177-180.
    10. Górecki K., Zarębski J., Influence of selfheating on characteristics of linear voltage regulators with a power MOS transistor. XXXII International Conference on Fundamentals of Electrotechnics and Circuit Theory IC-SPETO 2009, Ustroń, 2009, pp. 69-70.
    11. Górecki K., Zarębski J., Influence of selfheating on characteristics of linear voltage regulators with a power MOS transistor. XXXII International Conference on Fundamentals of Electrotechnics and Circuit Theory IC-SPETO 2009, Ustroń, 2009, ref. 35 (CD-ROM).
    12. Górecki K., Zarębski J., Influence of MOSFET Model Form on Boost Converter Characteristics at the Steady State. 16th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2009, Łódź, 2009, pp. 566-570.
    13. Górecki K., Zarębski J., A New DC Measuring Method of the Thermal Resistance of Power MOS Transistors. VIII International Conference on Microtechnology and Thermal Problems in Electronics Microtherm 2009, Łódź, 2009, pp. 165-170.
    14. Dąbrowski J., Zarębski J., D.C. Isothermal Characteristics of Silicon Carbide Merged PiN Schottky Diode. XXXII Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO, Ustroń, pp. 57-58.
    15. Zarębski J., Dąbrowski J., Properties of Silicon Carbide Schottky Diodes Under Self-heating Influence. 19th European Conference on Circuit Theory and Design ECCTD'09, 2009, Antalya, Turkey, pp. 253-256.
    16. Zarębski J., Bisewski D., Measurements of transient thermal impedancje of SiC-MESFETs, XXXII Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO, Ustroń, 2009, pp. 59-60.
    17. Bisewski D., Zarębski J., Problem estymacji parametrów tranzystorów MESFET, XIV Krajowa Konferencja Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice ZKwE, Poznań, 2009, s. 189-190.
    18. Zarębski J., Górecki K., Sposób i układ do pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych LED i fototranzystora zawartych w transoptorze. Zgłoszenie patentowe nr P387156, 2009-01-28.
    19. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W. J., Dąbrowski J., Krupa J., Bisewski D., Zarębski R., Nowy elektrotermiczny skupiony model tranzystora MOS mocy. Sprawozdanie z realizacji projektu badawczego nr N N510 3425 33, Gdynia, 2009.
    20. Zarębski J., Górecki K., Modelowanie bipolarnych i unipolarnych cyfrowych układów scalonych w programie SPICE. Opracowanie na zlecenie Instytutu Elektrotechniki w Warszawie, 2009.
    21. Zarębski J., Półprzewodnikowe elementy mocy, 2009, Wyd. Tekst Sp. z o.o., Bydgoszcz, 2009.
    22. Górecki K., Zarębski J., Pomiary elementów i układów elektronicznych., Wyd. Tekst Sp. z o.o., Bydgoszcz, 2009.
  • 2008
    1. Zarębski J., Górecki K.: A Method of the Thermal Resistance Measurements of Semiconductor Devices with P-N Junction. Measurement, Vol.41, No.3, 2008, pp. 259-265.
    2. Zarębski J., Górecki K.: A SPICE Electrothermal Model of the Selected Class of Monolithic Switching Regulators. IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 23, No. 2, 2008, pp. 1023 - 1026.
    3. Zarębski J., Górecki K.: Electrothermal Compact Macromodel of Monolithic Switching Voltage Regulator MC34063A. Microelectronics Reliability, Vol. 48, No. 10, 2008, pp. 1703-1710.
    4. Górecki K., Zarębski J.: Modeling Nonisothermal Characteristics of Switch-Mode Voltage Regulators. IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 23, No. 4, 2008, pp. 1848 - 1858.
    5. Górecki K., Zarębski J.: Wpływ wybranych czynników na właściwości półprzewodnikowych źródeł światła. Elektronika, Nr 10, 2008, ss. 73-77.
    6. Górecki K., Zarębski J.: Wpływ wybranych czynników na charakterystyki obcowzbudnych stabilizatorów impulsowych w stanie ustalonym. Elektronika, Nr 10, 2008, ss. 81-85.
    7. Górecki K., Zarębski J.: Wpływ zjawiska samonagrzewania na charakterystyki statyczne tranzystorów TrenchMOS. Elektronika, Nr 10, 2008, ss. 78-80.
    8. Krupa J., Górecki K., Zarębski J., Lichnicki P.: Termometr elektroniczny dla osób słabo widzących. Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, 2008, str. 82-92.
    9. Górecki K., Zarębski J.: Pomiary charakterystyk wybranych diod LED mocy. Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, 2008, str. 50-56.
    10. Zarębski J., Górecki K.: Influence of Cooling Conditions on DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840. International Conference Modern Problems of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science TCSET 2008, Slavske, 2008, pp. 12 15.
    11. Górecki K., Zarębski J., Zarębski R.: Investigations of Usefulness of Average Models for Calculations Characteristics of the Boost Converter at the Steady State. International Conference Modern Problems of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science TCSET 2008, Slavske, 2008, pp. 163 - 166.
    12. Górecki K., Zarębski J.: Calculating characteristics of the Flyback converter with the use of averaged models. International Conference Modern Problems of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science TCSET 2008, Slavske, 2008, pp. 167 - 170.
    13. Górecki K., Zarębski J.: A new electrothermal model of the inductor with the ferrite core. XXXI International Conference on Fundamentals of Electrotechnics and Circuit Theory IC-SPETO 2008, Ustroń, 2008, pp. 111-112.
    14. Górecki K., Zarębski J.: A new electrothermal model of the inductor with the ferrite core. XXXI International Conference on Fundamentals of Electrotechnics and Circuit Theory IC-SPETO 2008, Ustroń, 2008, ref. Nr 056 (CD-ROM).
    15. Górecki K., Zarębski J., Zarębski R.: Examining the Usefulness of the Method of Averaged Models in Calculating Characteristics of a Buck Converter at the Steady State. International Symposium on Power Electronics, Electrical Drives, Automation and Motion SPEEDAM 2008, Ischia, 2008, pp. 992-996.
    16. Górecki K., Zarębski J.: SPICE-modelling and the analysis of the self-excited push-pull dc-dc converter with selfheating taken into account. 15th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2008, Poznań, 2008, pp. 531-536.
    17. Górecki K., Zarębski J.: Electrothermal model of the controller UCC3800. 9th International Seminar on Power Semiconductors ISPS-08, Praga, pp. 313-317.
    18. Zarębski J., Górecki K.: Modelling TrenchMOSFETs in SPICE. 15th IEEE International Conference on electronics, Circuits and Systems ICECS 2008, Malta, 2008, pp. 73-76.
    19. Górecki K., Zarębski J.: The method of a fast electrothermal transient analysis of a buck converter. 15th IEEE International Conference on electronics, Circuits and Systems ICECS 2008, Malta, 2008, pp. 630-633.
    20. Zarębski J., Górecki K.: Modelling CoolMOSC3 transistors in SPICE. IASTED International Symposium on Modern Nonlinear Theory, 2008, Orlando, pp. 345-350.
    21. Górecki K., Zarębski J.: The nonlinear compact thermal model of power MOS transistors. 20th International Conference on Microelectronics ICM 2008, Sharjah, 2008, pp.171-174.
    22. Górecki K., Zarębski J., Stepowicz W. J., Dąbrowski J., Bisewski D., Zarębski R.: Nowe modele i algorytmy elektrotermicznej analizy stabilizatorów impulsowych. Sprawozdanie z realizacji projektu badawczego nr N515 064 32/4331, Gdynia, 2008.
    23. Górecki K., Zarębski J.: Analiza zasilacza impulsowego. Opracowanie wykonane na zlecenie Huettinger Electronic Sp. z o.o., Gdynia, 2008.
    24. Dąbrowski J., Zarębski J.: Silicon Power Schottky Diodes Model Implemented in SPICE. International Conference Modern Problems of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science, TCSET-2008, Lviv-Slavsko, Ukraine, February 19-23, 2008, s. 173-176
    25. Bisewski D., Dąbrowski J., Zarębski J., Computer Measuring Set of Transient Thermal Impedance of Power Semiconductor Devices with Metal-Semiconductor Junctions, Monografia pod patronatem PAN, Comuter Applications in Electrical Engineering, Poznań 2008, s.224-234.
    26. Zarębski J., Dąbrowski J.: Non-isothermal Characteristics of SiC Power Schottky Diodes. 19th International Symposium on Power Electronics, Electrical Drives, Automation and Motion SPEEDAM 2008, 11-13 June, Ischia, Italy, s. 1363-1367
    27. Zarębski J., Dąbrowski J.: SPICE Modelling of Power Schottky Diodes. International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields, Vol. 21 Issue 6, November/December 2008, s. 551-561 - czasopismo z tzw. listy filadelfijskiej
    28. Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.: Modeling SiC MPS diodes. 20th International Conference on Microelectronics, ICM-2008, Sharjah, UAE, 14-17 December, s. 167-170
    29. Bisewski D., Zarębski J., Measurements of transient thermal impedance of MESFETs, X International Conference Modern Problem of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science, TCSET-2008, Slavsko, 2008, pp. 213-216.
    30. Bisewski D., Dąbrowski J., Zarębski J., Komputerowy system do pomiaru przejściowej impedancji termicznej półprzewodnikowych elementów mocy, XIII Konferencja Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice, ZKwE, Poznań, 2008, s. 169-170.
    31. Zarębski J., Bisewski D., Gimbut M., Liżewski Ł., Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora GaAs oraz SiC MESFET, Gdynia, 2008. - s. 26-38
    32. Zarębski J., Bisewski D., Modelowanie pojemności tranzystora GaAs oraz SiC MESFET w programie PSPICE, Gdynia, 2008. - s. 39-49
    33. Zarębski J., Bisewski D., Modifications of the DC Raytheon-Statz model for SiC MESFETs, International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields, John Wiley&Sons, Vol. 21, Issue. 6, 2008, pp. 583-590.
  • 2007
    1. Zarębski J.: Tranzystory MOS mocy, Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007
    2. Zarębski J., Górecki K.: Properties of Some Convolution Algorithms for the Thermal Analysis of Semiconductor Devices, Applied Mathematical Modelling, Vol. 31, No. 8, 2007, pp.1489 - 1496
    3. Zarębski J., Górecki K.: SPICE-Aided Modelling of the UC3842 Current Mode PWM Controller with Selfheating Taken into Account, Microelectronics Reliability, Vol. 47, No. 7, 2007, pp. 1145-1152
    4. Zarębski J., Górecki K.: A New Method for the Measurement of the Thermal Resistance of the Monolithic Switched Regulator LT1073, IEEE Transaction on Instrumentation and Measurement, Vol. 56, No. 5, 2007, pp. 2101-2104
    5. Zarębski J., Górecki K.: A Method of Measuring the Transient Thermal Impedance of Monolithic Bipolar Switched Regulators, IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies, Vol. 30,  No. 4, 2007 pp. 627 - 631
    6. Zarębski J., Górecki K.: A New Measuring Method of the Thermal Resistance of Silicon P-N Diodes, IEEE Transaction on Instrumentation and Measurement, Vol. 56, No. 6, 2007, pp. 2788-2794
    7. Zarębski J.: ON-Resistance of Power MOSFETs, Informacije MIDEM, Vol. 35, No. 1, 2007, ss. 1-4
    8. Zarębski J., Bisewski D.: SPICE-aided modeling of SiC MESFETs, Informacije MIDEM, Vol. 35, 2007 pp. 57-60
    9. Górecki K., Zarębski J.: Wyznaczanie charakterystyk przetwornic dławikowych w stanie ustalonym, Elektronika, Nr 3, 2007, ss. 33-35
    10. Górecki K., Zarębski J.: Małosygnałowy elektrotermiczny model przetwornicy boost, Elektronika, Nr 12, 2007, ss. 90-93
    11. Górecki K., Zarębski J., Krupa J.: Modelowanie inwerterów CMOS w programie SPICE, Mikroelektronika i Informatyka, Nr 7, 2007 ss.51-55
    12. Górecki K., Dąbrowski J., Zarębski J., Krupa J., Bisewski D.: Izotermiczne i nieizotermiczne charakterystyki sterownika UCC3800, Mikroelektronika i Informatyka, Nr 7, 2007, ss. 45-49
    13. Dąbrowski J., Górecki K., Zarębski J., Krupa J., Bisewski D., Posobkiewicz K., Piotrowicz M.: Pomiary parametrów termicznych diody Schottky'ego MBR1045, Mikroelektronika i Informatyka, Nr 7, 2007 s. 189-193
    14. Zarębski J., Dąbrowski J., Bisewski D.: Analiza wpływu temperatury na właściwości impulsowe diod Schottky'ego mocy, Elektronika, Nr 2, 2007, ss. 18-20
    15. Górecki K., Zarębski J., Jóźwik A.: Wpływ wybranych czynników na charakterystyki przetwornicy BOOST, VIII Krajowa Konferencja Naukowa Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE 2007, Łódź, 2007, t. 1, ss. 151-156
    16. Bisewski D., Dąbrowski J., Zarębski J.: Modelowanie stałoprądowych charakterystyk elementów mocy z węglika krzemu w programie SPICE, Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice - ZKwE, Poznań 2007, ss. 217-218
    17. Górecki K., Zarębski J.: Electrothermal Analisis of the Switched Voltage Regulators Including the Controller UC3842, XXX Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO 2007, Ustroń, 2007, ss. 79-80
    18. Górecki K., Zarębski J.: Electrothermal Analisis of the Switched Voltage Regulators Including the Controller UC3842, XXX Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO 2007, Ustroń, 2007, ref. Nr 040 (CD-ROM)
    19. Górecki K., Zarębski J.: The Electrothermal Analysis of a Switched Mode Voltage Regulator, 14th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2007, Ciechocinek, 2007, pp. 597-602
    20. Górecki K., Zarębski J.: SPICE-Aided Modelling of the Voltage Regulator L296 with Selfheating Taken into Account, 16th IASTED International Conference Applied Simulation and Modelling ASM 2007, Palma de Mallorca, 2007, pp. 240-244
    21. Zarębski J., Górecki K.: SPICE-Aided Modelling of Nonisothermal Characteristics of Power Bipolar Transistors, 16th IASTED International Conference Applied Simulation and Modelling ASM 2007, Palma de Mallorca, 2007, pp. 245-250
    22. Górecki K., Zarębski J., Jasicki P.: Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej scalonych regulatorów zasilaczy impulsowych, Patent RP 194602 uzyskany 2007-01-10
    23. Górecki K., Zarębski J.: Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej scalonych regulatorów PWM, Patent RP 197351 uzyskany 2007-09-25
  • 2006
    1. Zarębski J., Górecki K.: Modelling CoolMOS Transistors in SPICE, IEE Proceedings on Cicuits, Devices and Systems, Vol. 153, No. 1, 2006, pp. 46-52.
    2. Zarębski J., Górecki K.: The Electrothermal Macromodel of MA7800 Monolithic Positive Voltage Regulators Family, International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields, Wiley, Vol.19, No.4, 2006, pp. 331-343.
    3. Zarębski J., Górecki K.: The Electrothermal Macromodel of Voltage Mode PWM Controllers for SPICE, Microelectronics Journal, Elsevier, Vol.37, No. 8, pp. 728-734.
    4. Górecki K., Zarębski J.: The Electrothermal Macromodel of ZCS Resonant Converter Controllers for SPICE, Informacije MIDEM, Vol. 36, No. 1, 2006, pp. 31-36.
    5. Zarębski J., Dąbrowski J.: D.C. Characteristics of SiC Power Schottky Diodes Modelling in SPICE, Informacije MIDEM, Vol. 36, No. 3, 2006, ss. 123-126.
    6. Górecki K., Zarębski J.: Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 3, 2006, ss. 347-360.
    7. Górecki K., Zarębski J.: Metoda i układ do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych zawierających złącze p-n, Patent RP nr 191944 uzyskany 2006-02-24.
    8. Górecki K., Zarębski J.: Wyznaczanie temperatury wnętrza przyrządów półprzewodnikowych sterowanych sygnałem w.cz., Elektronika, Nr 6, 2006, s.21.
    9. Konczakowska A., Gwarek W., Napieralski A., Zarębski J.: Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządowi prototypowych układów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami, Elektronika, Nr 9, 2006, ss. 10- 12.
    10. Górecki K., Zarębski J.: Pomiary przejściowej impedancji termicznej regulatora napięcia L296 metodami elektrycznymi, Mikroelektronika i Informatyka, 2006, Nr 6, ss. 27-30.
    11. Górecki K., Zarębski J., Jóźwik A., Krupa J., Posobkiewicz K., Piotrowicz M.: Pomiary parametrów termicznych regulatora napięcia l296 metodami optycznymi, Mikroelektronika i Informatyka, 2006, Nr 6, ss. 9-17.
    12. Zarębski J., Górecki K.: The Electrothermal Ben-Yaakov Model of the Diode-Transistor Switch for an Electrothermal Analysis of BUCK Converters, IX International Conference TCSET'2006, Slavsko, 2006, p. 94.
    13. Zarębski J., Dąbrowski J.: Modelling Power Schottky Diodes, IX International Conference Modern Problems of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science, TCSET'2006, Slavsko, Ukraine, 2006, ss. 90-93.
    14. Zarębski J., Bisewski D.: DC characteristics of SiC MESFET, IX International Conference Modern Problem of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science, TCSET'2006, Slavsko, 2006, pp. 87-89.
    15. Zarębski J., Zarębski R.: ON-Resistance of Power MOSFETs, IX International Conference Modern Problem of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science, TCSET'2006, Sławsko, 2006, pp. 145-147.
    16. Górecki K., Zarębski J., Jóźwik A.: Modelowanie stabilizatora impulsowego z dławikową przetwornicą ZVS , XXIX Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2006, Ustroń, 2006, Vol. 2, s. 529.
    17. Górecki K., Zarębski J., Lewandowska Z.: Modelowanie charakterystyk częstotliwościowych przetwornicy buck z uwzględnieniem samonagrzewania, XXIX Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2006, Ustroń, 2006, Vol. 2, s. 501.
    18. Zarębski J., Dąbrowski J.: Modelowanie wpływu samonagrzewania na charakterystyki krzemowych diod Schottky'ego mocy w zakresie przebicia, Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO, Ustroń, 2006, ss. 509-512.
    19. Górecki K., Zarębski J.: Calculations of Nonisothermal Characteristics of DC-DC Converters with the Average Models Taken into Account, International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2006, Gdynia, 2006, p. 607.
    20. Górecki K., Zarębski J.: A New Method of the Thermal Resistance Measurements of Monolithic Switched Regulators , IMEKO XVIII World Congress, Rio de Janeiro, 2006 (CD-ROM).
    21. Górecki K., Zarębski J.: Modelling monolithic CoolSET regulators for dc-dc transformer converters, 8th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'06, Praga (Czechy) 2006, p. 275.
    22. Zarębski J., Dąbrowski J.: Modelling of Non-Isothermal Characteristics of Reverse-Biased Power Schottky Diodes , International Seminar on Power Semiconductors ISPS'2006, Prague, 2006, ss. 99-102.
    23. Zarębski J., Bisewski D.: The modified Raytheon-Statz model for SiC MESFETs, 8th International Seminar on Power Semiconductors, ISPS'2006, Prague, 2006, pp. 293-296.
    24. Dąbrowski J., Zarębski J.: Analiza wpływu temperatury na warunki komutacji diod Schottky'ego mocy, Konferencja Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice - ZKwE, Poznań 10-12 kwiecień 2006, ss. 191-192.
    25. Bisewski D., Zarębski J.: Makromodel tranzystora GaAs MESFET dla programu SPICE, XI Konferencja Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice, Poznań, 2006, ss. 185-186.
    26. Zarębski J., Zarębski R.: Wpływ parametrów materiałowych na rezystancje właczenia wybranych tranzystorów MOS mocy, XI Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2006, Poznań-Kiekrz, 2006, ss. 187-188.
  • 2005
    1. Zarębski J., Dąbrowski J.: Modelling of silicon Schottky barrier diodes with the use of SPICE, Computer Applications in Electrical Engineering. Alwers, Poznań, 2005, p. 93.
    2. Górecki K., Zarębski J.: Elektrotermiczny model transformatora impulsowego dla programu SPICE, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 3, 2005, s.421.
    3. Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K.: Elektrotermiczny makromodel monolitycznego impulsowego regulatora napięcia L296 dla programu SPICE, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 4, 2005, s.571.
    4. Posobkiewicz K., Górecki K., Zarębski J.: Modele impulsowego regulatora napięcia MC34063A dla programu SPICE, Elektronika, Nr 4, 2005, s. 21.
    5. Górecki K., Zarębski J.: Model transformatora impulsowego dla programu SPICE uwzględniający wpływ temperatury na jego charakterystyki, Elektronika, Nr 5, 2005, s. 27.
    6. Górecki K., Zarębski J., Stepowicz W.J.: Wpływ wybranych czynników na parametry termiczne przyrządów półprzewodnikowych, Elektronika, Nr 10, 2005, s.18.
    7. Górecki K., Zarębski J.: Porównanie elektrycznych i pirometrycznych metod pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych, Elektronika, Nr 11, 2005, s. 55.
    8. Zarębski J., Bisewski D.: Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC MESFET, Elektronika, Nr 12, 2005, s.78-80.
    9. Bisewski D., Zarębski J., Krupa J.: Wykorzystanie programu SPICE do modelowania tranzystorów MESFET, Mikroelektronika i Informatyka, Łódź, 2005, s. 243-251.
    10. Górecki K., Zarębski J., Piotrowicz M., Krupa J.: Pomiary rezystancji termicznej tranzystora MTD20N06V, Mikroelektronika i Informatyka, Nr 5, Łódź, 2005, s. 235-242.
    11. Górecki K., Stepowicz W.J., Zarębski J.: Estymacja parametrów modelu tranzystora JFET za pomocą programu PARTS, XXVIII Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2005, Ustroń, 2005, Vol. 2, s. 301.
    12. Górecki K., Zarębski J.: Wyznaczanie temperatury wnętrza półprzewodnikowych elementów mocy sterowanych sygnałem w.cz., XXVIII Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2005, Ustroń, 2005, Vol. 2, s. 253.
    13. Górecki K., Posobkiewicz K., Zarębski J.: Estymacja parametrów modelu stopnia mocy monolitycznego impulsowego regulatora napięcia MC34063, XXVIII Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2005, Ustroń, 2005, Vol. 2, s. 305.
    14. Zarębski J.: SPICE-aided Modelling of Power MOSFETS Including Selfheating, XXVIII Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2005, Ustroń, 2005, Vol. 1, s. 9.
    15. Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K.: A New Model of MC34063A Regulator for SPICE Including Selfheating, 12-th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2005, Kraków, 2005, p. 279.
    16. Zarębski J., Górecki K.: A New Measurement Method of the Transient Thermal Impedance of the Monolithic Switched Regulator LT1073, 11th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems Therminic 2005, Belgirate, 2005, p. 65.
    17. Zarębski J., Górecki K.: Modelling Electrical and Thermal Interactions in the MC34063A Voltage Regulator, 13th International Conference on Electrical Drives and Power Electronics EDPE 2005, Dubrownik, 2005, E05-71, p. 81.
    18. Górecki K., Zarębski J.: Investigations of Power MOSFETs Transient Thermal Impedance, 13th International Conference on Electrical Drives and Power Electronics EDPE 2005, Dubrownik, 2005, E05-75, p. 84.
    19. Górecki K., Zarębski J.: A New Method of the Measurement of the Thermal Resistance of the Monolithic Switched Regulator LT1073 , 6 Seminario International de Metrologia Eletica VI Semetro, Rio de Janeiro, 2005, p. 53.
    20. Górecki K., Stepowicz W.J., Zarębski J.: Functional and Catastrophic Thermal Failures In Bipolar Electronic Circuits, 12th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems ICECS 2005, Gammarth (Tunezja), 2005, Vol. 1, p.104.
    21. Zarębski J., Dąbrowski J.: SiC Schottky Power Diode Modelling in SPICE, 12th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems ICECS 2005, Gammarth (Tunezja), 2005, Vol. 1, p.109.
    22. Posobkiewicz K., Górecki K., Zarębski J.: Modelowanie monolitycznego regulatora napięcia MC34063A w programie SPICE, X Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2005, Poznań-Kiekrz, 2005, s. 249.
    23. Bisewski D., Zarębski J.: Projektowanie i analiza układów mikrofalowych z wykorzystaniem programu PUFF. , X Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2005, Poznań-Kiekrz, 2005, s. 93.
    24. Górecki K., Zarębski J.: (null), X Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2005, Poznań, 2005, s. 251.
    25. Górecki K., Zarębski J., Jóźwik A., Kolka T.: Analiza wpływu parametrów elementów składowych quasi-rezonansowej przepustowej przetwornicy ZCS na jej charakterystyki, VII Krajowa Konferencja Naukowa Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE 2005, Łódź, 2005, t. 1, s. 125.
  • 2004
    1. Górecki K., Zarębski J. Modelowanie elementów indukcyjnych w programie SPICE. Elektronika konstrukcje, technologie, zastosowania, Not-Sigma, Nr 1, s.40. 2004.
    2. Zarębski J. Tranzystory mocy typu MOS z węglika krzemu. Elektronika, nr 7, s. 11. 2004.
    3. Zarębski J., Dąbrowski J. Konstrukcje diod Schottky'ego z węglika krzemu. Elektronika, nr 6, s. 17. 2004.
    4. Zarębski J., Dąbrowski J. Symulacje nieizotermicznych charakterystyk statycznych diody Schottky'ego z węglika krzemu w programie SPICE. Elektronika, Nr 11, s. 36. 2004.
    5. Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K. Model monolitycznego impulsowego regulatora napięcia L296 dla programu SPICE uwzględniający samonagrzewanie. Elektronika, Nr 11, 2004, s. 26.
    6. Górecki K., Zarębski J. Elektrotermiczny makromodel sterownika przetwornic rezonansowych ZVS dla programu SPICE. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 3, 2004, s.365.
    7. Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K. SPICE-aided Modelling of Selfheating in the Monolithic Regulator LT1073. Computer Applications in Electrical Engineering - Electrical Engineering Committee of Polish Academy of Science. Part 1, Poznań University of Technology. Poznań, 2004 , pp. 259-268.
    8. Górecki K., Stepowicz W.J., Zarębski J. Zastosowanie programu PARTS do estymacji parametrów modelu komparatora. XXVII Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2004, Vol. 2, s. 269. Niedzica,2004.
    9. Zarębski J., Dąbrowski J. Symulacje i pomiary węglikowo-krzemowej diody Schottky'ego. XXVII Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2004, , Vol. 2 s. 363. Niedzica,2004.
    10. Zarębski J., Górecki K., Bisewski D. A New Electrothermal Model of the Power MOSFET for SPICE. 11-th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2004, , p. 89 Szczecin, 2004.
    11. Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K. A New Macromodel of L296 Regulator for Spice Including Selfheating. 11-th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2004, p. 311. Szczecin 2004.
    12. Zarębski J., Dąbrowski J. Simulations of Nonisothermal D.C. Characteristics of the SiC Schottky Diode with the Use of SPICE. 11-th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2004 , p.441,Szczecin 2004.
    13. Zarębski J., Górecki K. Influence of the Temperature on the UC3842 Current Mode PWM Controller. IASTED International Conference Applied Simulation and Modelling ASM p. 53. 2004, Rhodes 2004.
    14. Górecki K., Zarębski J. The Macromodel of ZCS Resonant Converter Controller Dedicated for SPICE. IASTED International Conference Applied Simulation and Modelling ASM 2004, p. 510 Rhodes, 2004.
    15. Górecki K., Zarębski J. The SPICE Macromodel of MC34066 Controller. 6th International Conference on Unconventional Electromechanical and Electrical Systems UEES'04 Vol. 2, p. 525., Alushta, 2004.
    16. Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K. Modelling of L296 Regulator in SPICE. 6th International Conference on Unconventional Electromechanical and Electrical Systems UEES'04, Alushta, 2004, Vol. 2, p. 617.
    17. Zarębski J., Górecki K., Jasicki P. Modelling the Temperature Influence on the Characteristics of the CoolMOSC2/600V Transistor. 7th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'04, p. 225. Praga (Czechy) 2004.
    18. Zarębski J., Górecki K. A New Method of Measurement of the Thermal Resistance of the Silicon P-N Diodes. 13th International Symposium on Measurements for Research and Industry Applications IMEKO-TC4, Ateny, 2004, Vol.1, p.8.
    19. Zarębski J., Dąbrowski J Modelowanie krzemowych diod Schottky'ego w programie SPICE, IX Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2004, t.1, s. 349. Poznań-Kiekrz 2004.
    20. Posobkiewicz K., Górecki K., Zarębski J. Model regulatora L296 dla programu SPICE. IX Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2004, Poznań-Kiekrz, 2004, t.1, s. 291.
    21. Zarębski J., Górecki K., Jasicki P. Badanie właściwości elektrotermicznego makromodelu tranzystora COOLMOS dla programu SPICE. Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Nr 53, 2004. s.87-95
    22. Górecki K., Zarębski J., Piotrowicz M. Pomiary parametrów termicznych monolitycznego stabilizatora napięcia MAA723. Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Nr 53, 2004. s.121-128
    23. Zarębski J., Dąbrowski J. Wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod Schottky'ego mocy. Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Nr 53, 2004. s.66-75
    24. Zarębski J., Bisewski D. Modelowanie pojemności tranzystora MOS mocy w programie SPICE, Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Nr 53,2004. s.76-86
    25. Górecki K., Zarębski J. Nowa metoda szybkiego wyznaczania przebiegu temperatury wnętrza tranzystora w układzie klucza równoległego. Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Nr 53, 2004. s.113-120
    26. Posobkiewicz K., Górecki K., Zarębski J. Pomiary rezystancji termicznej monolitycznych regulatorów napięcia. Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Nr 53 , 2004, s. 105-112
    27. Górecki K., Zarębski J., Jóźwik A. Pomiary charakterystyk przepustowej przetwornicy ZCS. Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Nr 53 , 2004, s. 96-104.
    28. Górecki K., Zarębski J., Napieralski A. Sposób i układ do pomiaru rezystancji termicznej inteligentnego unipolarnego układu scalonego mocy. Patent RP nr 187668 uzyskany 2004-01-12.
  • 2003
    1. Górecki K., Zarębski J. Stałoprądowy elektrotermiczny model tranzystora JFET dla programu SPICE. Elektronika, Not-Sigma, Warszawa, Nr 1, 2003, s. 3.
    2. Zarębski J., Górecki K. Analiza wpływu samonagrzewania na charakterystyki dławikowych przetwornic dc-dc. Elektronika, Not-Sigma, Warszawa, Nr 2-3, 2003, s. 24.
    3. Górecki K., Zarębski J. Modelowanie bramek TTL-LS w programie SPICE. Elektronika, Not-Sigma, Warszawa, Nr 10, 2003, s. 26.
    4. Górecki K., Zarębski J. Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych. Pomiary, Automatyka, Kontrola PAK, Nr 1, 2003, s. 41.
    5. Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K. Modelowanie wpływu temperatury na charakterystyki regulatora impulsowego LT1073 w programie SPICE. Elektronizacja, Not-Sigma, Nr 10, 2003, s. 28.
    6. Zarębski J., Górecki K., Jasicki P. Model tranzystora CoolMOSC2 dla programu SPICE. Wisnik Nacjonalnowo Uniwersitetu "Lwiwska Politechnika", Lwów (Ukraina), No. 485, 2003, p. 248.
    7. Górecki K., Zarębski J. Modelowanie wpływu temperatury na charakterystyki bramki TTL w programie SPICE. Wisnik Nacjonalnowo Uniwersitetu "Lwiwska Politechnika", Lwów (Ukraina), No. 487, 2003, p. 133.
    8. Posobkiewicz K., Górecki K., Zarębski J. Modelowanie charakterystyk przetwornicy BUCK z monolitycznym regulatorem LT1073 w programie SPICE. Wisnik Nacjonalnowo Uniwersitetu "Lwiwska Politechnika", Lwów (Ukraina), No. 485, 2003, p. 243.
    9. Zarębski J. Modelling of the SiC Schottky Diodes. Wisnik Nacjonalnowo Uniwersitetu "Lwiwska Politechnika", Lwów (Ukraina), No. 485, 2003, p.177.
    10. Zarębski J., Posobkiewicz K. Monolityczne regulatory do stabilizatorów impulsowych z dławikowymi przetwornicami dc-dc. Elektronizacja, 2003, Nr 12, s.34.
    11. Górecki K., Zarębski J., Piotrowicz M Pomiary parametrów termicznych bipolarnego tranzystora małej mocy. Mikroelektronika i Informatyka, Nr 3, 2003, s.55.
    12. Zarębski J., Górecki K. The Electrothermal Model of the Linear Power Supplies. The 2003 IEEE International Symposium on Circuits and Systems ISCAS 2003, Bangkok (Tajlandia), 2003, Vol. I, p. 369.
    13. Górecki K., Zarębski J. Modelowanie wpływu temperatury na charakterystyki transformatora impulsowego w programie SPICE. XXVI Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2003, Niedzica, 2003, Vol. 2, s. 335.
    14. Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K. Modelling temperature influence on the characteristics of the monolithic voltage regulator LT1073 in SPICE. 10-th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2003, Łódź, 2003, p. 342.
    15. Zarębski J., Górecki K. A New SPICE Macromodel of ZCS Resonant Converter Controller. International Conference on Electrical Drives and Power Electronics EDPE2003, High Tatras (Słowacja), 2003, p. 75.
    16. Zarębski J., Górecki K. Temperature Affects the UC3842 Current Mode PWM Controller. 9th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems THERMINIC, Aix-en-Provence, 2003, p. 117.
    17. Zarębski J., Górecki K. The New Form of Electrothermal Model of MA7805 Positive Voltage Regulator. IEEE ICECS 2003, Sharjah 2003, p.1105.
    18. Górecki K., Zarębski J., Posobkiewicz K. The Electrothermal Macromodel of the Monolithic Voltage Regulator LT1073 for SPICE. IEEE ICECS 2003, Sharjah 2003, p.1113.
    19. Posobkiewicz K., Górecki K., Zarębski J. Modelowanie scalonego stabilizatora impulsowego w programie SPICE. VIII Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2003, Poznań-Kiekrz 2003, t.1, s. 337.
    20. Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K. Modelowanie monolitycznego kontrolera LT1073 na potrzeby analizy przetwornic dławikowych w programie SPICE. VI Krajowa Konferencja Naukowa Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE 2003, Łódź, 2003, t. 2, s. 625.
    21. Górecki K., Zarębski J. Modelowanie wpływu efektów termicznych na właściwości przetwornicy BOOST w programie SPICE. VI Krajowa Konferencja Naukowa Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE 2003, Łódź, 2003, t. 1, s. 143.
    22. Zarębski J. D.C. electrothermal models of the bipolar transistor for SPICE. Computer Applications in Electrical Engineering, Poznań University of Technology, 2003, p. 166.
    23. Górecki K., Stepowicz W.J., Zarębski J. Laboratorium z elementów półprzewodnikowych. Wydawnictwo Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2003.
  • 2002
    1. Zarębski J. , Górecki KParameters Estimation of the D.C. Electrothermal Model of the Bipolar Transistor. International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks. Devices and Fields. Vol. 15, No. 2, 2002, pp. 181-194.
    2. Górecki K.,Zarębski J. Możliwości zastosowania funkcji programu Pspice do modelowania elementów półprzewodnikowych. Elektronizacja Nr 1-2, 2002, s. 17.
    3. Górecki K.,Zarębski J. , Krupa J.Wpływ temperatury na właściwości cewki z rdzeniem ferromagnetycznym. Elektronizacja Nr 11, 2002, s.21.
    4. Zarębski J. , Posobkiewicz K., Jasicki P.Właściwości tranzystorów VDMOS i CoolMOS - charakterystyki i parametry dynamiczne. Elektronizacja Nr 12,2002, s.18.
    5. Zarębski J. , Posobkiewicz K., Jasicki P.Właściwości tranzystorów VDMOS i CoolMOS - charakterystyki i parametrry statyczne. Elektronizacja Nr 10,2002, s.7.
    6. Górecki K.,Zarębski J. Wyznaczanie parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora VDMOS. Mikroelektronika i Informatyka. Nr 2, 2002.
    7. Górecki K., Stepowicz W.J., Chramiec J.,Zarębski J. Thermal Resistance Measurements of Microwave Devices. XIV International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications MIKON, Gdańsk 2002, Vol. 2, s. 383.
    8. Górecki K., Stepowicz W. J.,Zarębski J. , Posobkiewicz K.Problemy estymacji parametrów modelu tranzystora bipolarnego w programie SPICE. XXV Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Ustroń, ,IC-SPETO 2002, Vol.2, s. 377.
    9. Górecki K.,Zarębski J. Elektrotermiczny model cewki z rdzeniem ferromagnetycznym dla programu SPICE. XXV Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Ustroń, ,IC-SPETO 2002, Vol. 2, s. 245.
    10. Górecki K., Stepowicz W. J.,Zarębski J. Using Program PARTS in Teaching of Modelling of Semiconductor Devices. 9-th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2002, Wrocław 2002, p. 695-698.
    11. Zarębski J. , Górecki K.Investigation of electrothermal interactions in linear power supplies, 6th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'2002, Praga (Czechy) 2002, p. 163.
    12. Górecki K.,Zarębski J. A new SPICE macromodel of ZVS resonant converter controller. 6th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'2002, Praga (Czechy) 2002, p. 195.
    13. Zarębski J. , Górecki K.Spice Dynamic Macromodel of PWM Controller with Selfheating Taken Into Account. 10th International Power Electronics and Motion Control Conference EPE-PEMC 2002, Dubrownik, 2002, T3-023, p. 232.
    14. Zarębski J. , Górecki K.On Some Properties of the Convolution Algorithms for the Thermal Analysis of Semiconductor Devices. 9th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems ICECS 2002, Dubrownik (Chorwacja), 2002, Vol. 1., p. 371.
    15. Zarębski J. , Górecki KSPICE Modelling of PWM Controllers. IEEE nternational Power Electronics Congress CIEP 2002, Guadalajara (Meksyk), 2002, p.61.
    16. Zarębski J. , Górecki K., Posobkiewicz K.Analiza przetwornicy dławikowej z uwzględnieniem efektów termicznych. VII Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2002, Poznań-Kiekrz 2002, t.1, s. 397-400.
    17. Zarębski J. , Jasicki P., Posobkiewicz K.Porównanie właściwości i charakterystyk tranzystorów VDMOS oraz CoolMOS. VII Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2002, Poznań-Kiekrz 2002, t.1, s. 353-356.
  • 2001
    1. Górecki K., Zarębski J. Nowy algorytm wyznaczania mocy czynnej tranzystora MOS w programie SPICE. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 47, Nr 3, 2001, s. 373.
    2. Zarębski J., Górecki K Nowy algorytm wyznaczania nieizotermicznych charakterystyk dynamicznych elementów półprzewodnikowych w programie SPICE. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 47, Nr 4, 2001, s. 525.
    3. Zarębski J., Górecki K., PWM controller electrothermal macromodel dedicated for SPICE. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 47, Nr 4, 2001, s. 539.
    4. Górecki K., Zarębski J. System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr 4, 2001, s.379.
    5. Górecki K., Zarębski J. Badanie charakterystyk termometrycznych elementów półprzewodnikowych ze złączem p-n. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr 4, 2001, s. 397.
    6. Zarębski J Efekty termiczne w procesie modelowania półprzewodnikowych elementów mocy. Elektronika, Not-Sigma, Warszawa, Nr 4, 2001, s. 17.
    7. Zarębski J., Górecki K. Makromodele sterowników PWM dla programu SPICE. Elektronika, Nr 11, 2001, s. 24.
    8. Zarębski J Właściwości i charakterystyki tranzystora CoolMOS. Elektronika, Nr 12, 2001, s. 9.
    9. Górecki K., Zarębski J Modelowanie nieizotermicznych charakterystyk wybranych elementów półprzewodnikowych w programie APLAC. Elektronizacja, Not-Sigma, Nr 12, 2001, s. 19.
    10. Zarębski J., Górecki K., Jasicki P Modelowanie nieizotermicznych charakterystyk dynamicznych tranzystora VDMOS w programie SPICE. XXIV Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO 2001, Ustroń, 2001, Vol. 2, s. 465.
    11. Zarębski J., Górecki K., Jasicki P.: Modelowanie sterowników PWM w programie SPICE. XXIV Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO 2001, Ustroń, 2001, Vol. 2, s. 461.
    12. Zarębski J., Górecki K., Jasicki P The Electrothermal Macromodel of PWM Controller for SPICE. 8-th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems. MIXDES 2001, Zakopane, 2001, p. 279.
    13. Zarębski J. A New Electrothermal Dynamic Macromodel of the Power Darlington Transistor for SPICE. ISCAS 2001, Sydney, 2001, Vol. 3, p. 305.
    14. Górecki K., Stepowicz W.J., Zarębski J Thermal failures in electronic circuits. 37th International Conference on Microelectronics. Devices and Materials MIDEM 2001, Bohinj (Słowenia), 2001, p. 135.
    15. Zarębski J., Górecki K PWM controller dynamic electrothermal macromodel for SPICE. 37th Internatinal Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2001, Bohinj (Słowenia), 2001, p. 99.
    16. Górecki K., Jasicki P., Zarębski J Problem wyznaczania mocy czynnej tranzystora VDMOS w programie SPICE. VI Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2001, Poznań-Kiekrz 2001, t. 1, s. 355.
    17. Górecki K., Zarębski J. Problem jednopunktowej kalibracji charakterystyk termometrycznych rzeczywistego złącza p-n. Krajowy Kongres Metrologii KKM 2001, Materiały konferencyjne tom 1, s. 99.
    18. Zarębski J., Górecki K. Ocena błędu jednopunktowej kalibracji charakterystyki termometrycznej złącza p-n. Zeszyty Naukowe WSM, Nr 42, Gdynia, 2001, s. 125.
    19. Górecki K., Zarębski J., Napieralski A.Modelowanie nieizotermicznych charakterystyk tranzystora JFET w programie SPICE. Zeszyty Naukowe WSM, Nr 42, Gdynia, 2001, s. 134.
    20. Zarębski J., Górecki K., Jóźwik A.: Pomiary dławikowej przetwornicy obniżającej dc-dc. Zeszyty Naukowe WSM, Nr 42, Gdynia, 2001, s. 143.
    21. Zarębski J., Jasicki P CoolMOS- nowy wysokonapięciowy tranzystor mocy. Zeszyty Naukowe WSM, Nr 42, Gdynia, 2001, s. 106.
  • 2000
    1. Stepowicz W.J.,Zarębski J. Influence of Mutual Electrothermal Interations on Nonisothermal Small-signal Parameters of BJTs and Ics. Microelectronics Journal, No. 31 (10), 2000, p. 759.
    2. Górecki K.,Zarębski J. Układ do automatycznego pomiaru nieizotermicznych charakterystyk statycznych elementów półprzewodnikowych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. VII, z.1, 2000, s. 45.
    3. Zarębski J., Górecki K.Metody stałoprądowe pomiaru własnych i wzajemnych rezystancji termicznych w strukturze tranzystora Darlingtona. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. VII, z.2, 2000, s. 205.
    4. Górecki K.,Zarębski J. Impulsowe metody pomiaru parametrów termicznych tranzystora Darlingtona mocy. Metrologia i Systemy Pomiarowe, t. VII, z.3, 2000, s. 69.
    5. Zarębski J., Górecki K.Algorytm estymacji wartości parametrów elektrotermicznego stałoprądowego makromodelu tranzystora Darlingtona mocy. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 46, z. 3, 2000, s. 299.
    6. Górecki K.,Zarębski J. Badanie właściwości wybranych algorytmów splotowych do analizy termicznej układów elektronicznych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 46, z. 4, 2000, s. 633.
    7. Zarębski J., Górecki K.Wielkosygnałowy dynamiczny makromodel tranzystora Darlingtona mocy do analizy elektrotermicznych stanów przejściowych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 46, z. 4, 2000, s. 615.
    8. Zarębski J., Górecki K.Badanie nieizotermicznych stanów przejściowych przetwornicy obniżającej z tranzystorem Darlingtona. Elektronizacja, Not-Sigma, Warszawa, nr 12, 2000, s. 10.
    9. Górecki K.,Zarębski J. Pomiary rozkładu temperatury na powierzchni struktury tranzystorów Darlingtona mocy. Elektronizacja, Not-Sigma, Warszawa, nr 12, 2000, s. 13.
    10. Górecki K.,Zarębski J. Metoda i układ do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych zawierających złącze p-n. Zgłoszenie patentowe nr P336013. Biuletyn Urzędu Patentowego Nr 8, Warszawa 2000, s. 57.
    11. Zarębski J., Górecki K.SPICE Aided Estimation of the Power BJT Model Parameters. IEEE International Power Electronics Congress CIEP'2000, Acapulco, 2000, p. 258.
    12. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.SPICE-Aided Electrothermal Modelling of Power BJTs. 5th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'2000, Praga (Czechy) 2000, p. 181.
    13. Zarębski J., Górecki K.Parameters Estimation of the D.C. Electrothermal Model of the Bipolar Transistor. 7-th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2000, Gdynia, 2000, p. 351.
    14. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.Influence of Thermal Effects on Performance of the Bipolar Darlington Power Transistor Switch. XVI Symposium Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits EPNC'2000, Kraków, p. 147.
    15. Zarębski J., Bieniecki S., Górecki K.Analiza półmostkowej przetwornicy rezonansowej za pomocą programu SPICE. XXIV Międzynarodowa Konferencja z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2000, Ustroń, 2000, p. 301.
    16. Zarębski J., Stepowicz W.J.Elektrotermiczny model warystora dla programu SPICE. Międzynarodowa Konferencja z Podstaw elektrotechniki i Teorii Obwodów IC-SPETO'2000, Ustroń, p. 305.
    17. Zarębski J., Bieniecki S.Badania i pomiary wybranych konstrukcji półmostkowych przetwornic tranzystorowych. ETZ,2000 Warszawa, 2000, s. 47.
    18. Zarębski J., Górecki K.Application of the Impulse-Switched Method to Measure the Thermal Resistance of Semiconductor Devices. XII Polish National ConferenceApplication of Microprocessors in Automatic Control and Measurements, Warszawa, 2000, p. 121.
    19. Górecki K.,Zarębski J. Problem stabilności i zbieżności wybranych algorytmów splotowych do analizy termicznej układów elektronicznych. V Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2000, Poznań-Kiekrz 2000, t. 2, s. 383.
    20. Zarębski J. Modelowanie półprzewodnikowych elementów mocy z uwzględnieniem efektów termicznych, V Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'2000, Poznań-Kiekrz 2000, t. 2, s. 377.
    21. Stepowicz W.J.,Zarębski J., Górecki K.Wpływ wybranych czynników na rezystancję termiczną elementów półprzewodnikowych. IX Sympozjum "Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki" PPEE'2000, Wisła, 2000, s. 54.
    22. Zarębski J. Siódma Miedzynarodowa Konferencja MIXDES2000 Akademicki Kurier Morski, Nr 25, Gdynia, 2000, s. 12.
  • 1999
    1. Górecki K,Zarębski J., Stepowicz W.J.:Napięcia przebicia tranzystora Darlingtona mocy. VIII Sympozjum "Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki" PPEE'99, Wisła, 1999, s. 473.
    2. Zarębski J.: Nowoczesne półprzewodnikowe elementy mocy. VIII Sympozjum "Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki" PPEE'99, Wisła, 1999, s. 48. (referat zaproszony)
    3. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Przebiegi elektrotermiczne w układach zabezpieczających przed narażeniami elektromagnetycznymi. XXII Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów SPETO'99, Ustroń 1999, p. 373.
    4. Zarębski J., Górecki K., Bieniecki S.:Nieizotermiczne charakterystyki przetwornicy obniżającej z tranzystorem Darlingtona mocy. IV Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'99, Kiekrz-Poznań 1999, s. 365.
    5. Zarębski J., Bieniecki S.:Wpływ temperatury na charakterystyki tranzystorowej przetwornicy rezonansowej. IV Konferencja Naukowo – Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice. ZKwE'99, Poznań/Kiekrz, 1999, s.369.
    6. Zarębski J., Jasicki P., Vingh C. T.:Wyznaczanie nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystorów MOS mocy z wykorzystaniem programu SPICE. IV Konferencja Naukowo - Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice. ZKwE'99, Poznań/Kiekrz, 1999, s. 361
    7. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.:The Hybrid Electrothermal Macromodel of the Power Darlington Transistor for SPICE. 4th International Scientific and Technical Conference on Unconventional Electromechanical and Electrical Systems (UEES'99), St. Petersburg (Rosja) 1999, Vol. 2, p. 751.
    8. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.:Electrothermal Breakdown Modes In The Darlington Power Transistor. Prod. of the European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD'99), Stresa (Włochy), 1999, Vol. 1, p. 567.
    9. Zarębski J., Górecki K.:Elektrotermiczne hybrydowe modele tranzystora Darlingtona mocy. Raport NB.1/99, Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni, 1999.
    10. Zarębski J., Górecki K.:Wpływ rezystancji szeregowych na nieizotermiczne charakterystyki tranzystora Darlingtona mocy. Raport NB.2/99, Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni, 1999.
    11. Zarębski J., Górecki K.:Elektrotermiczny stałoprądowy model tranzystora Darlingtona mocy dla programu SPICE. Sprawozdanie z realizacji projektu badawczego nr 8 T11B 00115, Gdynia 1999.
    12. Zarębski J., Górecki K.:Problem doboru wartości prądu pomiarowego przy wyznaczaniu rezystancji termicznej tranzystora Darlingtona mocy metodą Rubina. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr 3, 1999 s. 183,
    13. Zarębski J., Górecki K.:Modelowanie tranzystora Darlingtona mocy z uwzględnieniem oddziaływań elektrotermicznych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 3/4 1999.
    14. Zarębski J., Górecki K.:Dwupunktowa metoda pomiaru rezystancji termicznej tranzystora Darlingtona mocy. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr4 1999.
    15. Zarębski J., Bieniecki S.:Zastosowanie układu scalonego UC 3875 UNITRODE w konstrukcji rezonansowej bezpiecznej przetwornicy rezonansowej. Prace Instytutu Elektrotechniki, Zeszyt 203, Warszawa, 1999 (s. 183).
    16. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Influence of Mutual Electrothermal Interations on Nonisothermal Small-signal Parameters of BJTs and Ics. Artykuł wysłany do Microelectronics Journal.
    17. Zarębski J.: Katedra Radioelektroniki Morskiej wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni. Przegląd Telekomunikacyjny, Nr 9-10, 1999, s.597.
    18. Górecki K.,Zarębski J.: Metoda i układ do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych zawierających złącze p-n. Zgłoszenie patentowe nr P336013.
  • 1998
    1. Górecki K.,Zarębski J.: Możliwości zastosowania programu APLAC do modelowania nieizotermicznych charakterystyk stałoprądowych tranzystora Darlingtona mocy. III Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'98, Kiekrz-Poznań 1998, s. 337.
    2. Górecki K.,Zarębski J., Stepowicz W.J.:Wpływ efektów termicznych na parametry robocze stabilizatora napięcia z tranzystorem Darlingtona. XXI Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów SPETO'98, Ustroń 1998, s. 443.
    3. Zarębski J., Górecki K.:Problem kalibracji charakterystyk termometrycznych przy pomiarze rezystancji termicznej tranzystora Darlingtona mocy metodą Rubina. Krajowy Kongres Metrologii KKM'98, Gdańsk 1998, t. 3, s. 434.
    4. Górecki K.,Zarębski J., Stepowicz W.J.:Influence of Model Parameters on the D.C. Nonisothermal Characteristics of the Power Darlington Transistor. 4th International Seminar on Power Semiconductors ISPS'98, Praga (Czechy) 1998, p. 185.
    5. Zarębski J., Górecki K.:On Some Problems Occurring in Modelling of the BJT in SPICE. XV Symposium Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits EPNC'98, Liege (Belgia), p. 220.
    6. Zarębski J.: SPICE Simulations of D.C. Electrothermal Interactions in Bipolar Electronic Circuits. 1998 IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, Lizbona 1998, Vol. 2, p.77.
    7. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: A New Method of the Thermal Resistance Measurements for Bipolar Transistors. Krajowy Kongres Metrologii KKM'98, Gdańsk 1998, t. 3, s. 430.
    8. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Thermal Resistance Measurements of p-n Diodes at Breakdown. Workshop Microtechnology and Thermal Problems in Electronics, Zakopane 1998, p. 40.
    9. Górecki K.,Zarębski J., Stepowicz W.J.:Influence of Mounting on the Thermal Resistance of Selected Microcircuits. Proceedings of the 21-th ISHM Poland, Ustroń October 5-8, 1997, International Society for Hybrid Microelectronics Poland Chapter, Wrocław 1998, p. 149.
    10. Zarębski J., Górecki K.:Stanowisko do automatycznego pomiaru nieizotermicznych charakterystyk stałoprądowych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. XI Konferencja Naukowo-Techniczna "Zastosowanie mikroprocesorów w automatyce i pomiarach", Warszawa 1998, t. 2., s. 317.
    11. Zarębski J., Bieniecki S.:Zastosowanie układu scalonego UC3875 Unitrode w konstrukcji rezonansowej bezpiecznej przetwornicy tranzystorowej z fazową regulacją mocy. I Międzynarodowa Konf. Naukowo-Techniczna "Bezpieczne Urządzenia Energoelektroniczne"-SPES'98, Warszawa, 1998, t. 1, s. 165.
    12. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Nieizotermiczne parametry małosygnałowe elementów półprzewodnikowych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 3, 1998, s. 345.
    13. Zarębski J., Górecki K.:Możliwości zastosowania programu APLAC do modelowania nieizotermicznych charakterystyk stałoprądowych tranzystora Darlingtona mocy. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 4, 1998, s. 519.
    14. Zarębski J., Górecki K.:Dartran - specjalizowany program do elektrotermicznej analizy układów z tranzystorami Darlingtona mocy. Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia 1998, s. 97
    15. Zarębski J., Górecki K.:Elektrotermiczny makromodel uwzględniający prądy generacyjne w tranzystorze Darlingtona mocy. Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia 1998, s. 76.
    16. Napieralski A.,Zarębski J., Górecki K., Furmańczyk M.:Pomiar rezystancji i przejściowej impedancji termicznej inteligentnego układu scalonego MOS mocy. Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia 1998, s. 42.
    17. Zarębski J.: Nowe metody pomiaru rezystancji termicznej elementów ze złączem p-n. Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia 1998, s. 32.
    18. Zarębski J., Jasicki P., Vinh T. C.:Modelowanie wpływu temperatury na charakterystyki statyczne tranzystora MOSFET w programie SPICE. Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia 1998, s. 63.
    19. Zarębski J.: Wybrane konstrukcje współczesnych półprzewodnikowych elementów mocy. Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia 1998, s.86.
    20. Stepowicz W.J., Kołodziejski J.,Zarębski J.: Półprzewodnikowe diody zabezpieczające ze złączem p-n. Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia 1998, s. 9.
    21. Zarębski J., Bieniecki S.:Ocena wpływu efektów termicznych na parametry przetwornicy tranzystorowej PWM. Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni Nr 34, Gdynia 1998, s. 109.
    22. Zarębski J.: Nowoczesne półprzewodnikowe elementy mocy. Raport - SEM'98, Seminaria Katedry Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni, Gdynia 1998, s. 27.
    23. Górecki K.,Zarębski J., Napieralski A.:Metoda i system do pomiaru rezystancji termicznej inteligentnego unipolarnego układu scalonego mocy. Zgłoszenie patentowe nr P329954.
    24. Zarębski J., Górecki K.:Pomiary rozkładu temperatury wnętrza tranzystorów Darlingtona mocy Raport NB.1/98, Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni, 1998.
  • 1997
    1. Stepowicz W.J.,Zarębski J., Górecki K.:Electrothermal A.C. Large-Signal Model of the PN Diode. Podstawowe Problemy Energoelektroniki i elektromechaniki PPEE'97, Ustroń-Jaszowiec 1997, s. 347.
    2. Górecki K.,Zarębski J.: System komputerowy do automatycznej identyfikacji parametrów elektrotermicznego modelu tranzystora bipolarnego. II Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowanie Komputerów w Elektrotechnice ZKwE'97, Kiekrz-Poznań 1997, s. 269.
    3. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.:Wpływ sposobu zamocowania tranzystora na jego rezystancję termiczną. VI Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa" ELTE'97, Krynica 1997, t. 1., s. 708.
    4. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.:Problemy wystepujące w elektrotermicznej analizie układów elektronicznych za pomocą programu SPICE. Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów SPETO'97, Ustroń 1997, t. 2, s. 371.
    5. Górecki K.,Zarębski J., Stepowicz W.J.:Problems of the Thermal Resistance Measurements of the Power Darlington Transistor. 4th International Workshop Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES'97, Poznań 1997, p. 271.
    6. Zarębski J., Górecki K.:D.C. Electrothermal Hybrid Model of P-N Diode for SPICE. IEEE International Symposium on Circuits and Systems ISCAS'97, Hong Kong 1997, Vol. III, p. 1612.
    7. Stepowicz W.J.,Zarębski J., Górecki K.:Electrothermal Macromodel of the Power Darlington Transistor. 1997 European Conference on Circuit Theory and Design - ECCTD'97, Budapest 1997, Vol. 1, p.191.
    8. Górecki K.,Zarębski J.: Zastosowanie metody z podwójną kalibracją charakterystyki termometrycznej do pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS. XXIX Międzyuczelniana Konferencja Metrologów MKM'97, Nałęczów 1997, t.1, s. 161.
    9. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.:Simulations of Electrothermal Transients in the Darlington Power Transistor. Third International Scientific and Technical Conference on Unconventional Electromechanical and Electrical Systems UEES'97, Alushta (Ukraina) 1997, Vol. 2, p.721.
    10. Stepowicz W.J.,Zarębski J., Górecki K.:Thermal Performance of the Selected Monolitic and Hybrid Circuits. Proceedings of the 20-th ISHM Poland, Jurata, Sept. 15-18, 1996, International Society for Hybrid Microelectronics Poland Chapter, Wrocław 1997, p. 263.
    11. Górecki K.,Zarębski J., Stepowicz W.J.:Influence of Mounting on the Thermal Resistance of selected Microcircuits. XXI ISHM-Poland Chapter Annual Conference and Exhibition, Ustroń, 1997, p.63.
    12. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Wpływ zjawiska samonagrzewania na pomiary szumów typu 1/f elementów półprzewodnikowych. II Seminarium "Miernictwo Sygnałów Przypadkowych"- NOISE'97, Gdańsk, 1997, s. 49.
    13. Zarębski J., Górecki K.:Stałoprądowe charakterystyki tranzystora Darlingtona mocy - wyniki pomiarów i symulacji z wykorzystaniem programu SPICE. Raport Nr NB.1/97, Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni, 1997.
    14. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Wpływ zjawiska samonagrzewania na pomiary szumów typu 1/f elementów półprzewodnikowych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr 3/4, 1997, s. 147
    15. Zarębski J.: Electrothermal interactions in semiconductor devices as a factor influencing on reliability of electronic circuits and systems-modeling and simulations by SPICE. Referat zaproszony, wygłoszony w Vietnam Maritime University w Sajgonie, 1997.
    16. Zarębski J., Stepowicz W.J.:Sposób pomiaru rezystancji termicznej diod półprzewodnikowych ze złączem p-n w zakresie przebicia. Patent RP nr 173206.
    17. Zarębski J., Górecki K.:Układ do pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora bipolarnego. Patent RP nr 173831.
  • 1996
    1. Zarębski J.: Elektrotermiczne wielkosygnałowe modele wybranych elementów półprzewodnikowych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 2, 1996, s.93.
    2. Zarębski J.: Analiza elektrotermicznych stanów przejściowych w układach elektronicznych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 2, 1996, s. 145.
    3. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Influence of Selfheating on the Circuit Parameters of the Amplifier with the BJT. Bulletin of the Polish Academy of Sciences, Technical Sciences, Vol. 44, No 3, 1996, p. 283.
    4. Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach scalonych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996 (praca habilitacyjna).
    5. Stepowicz W.J.,Zarębski J., Górecki K.:Wpływ warunków chłodzenia na wzmocnienie napięciowe wzmacniacza tranzystorowego. XIX Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Ustroń 1996, Vol. 2, s.439.
    6. Stepowicz W.J.,Zarębski J., Górecki K.:Thermal Performance of the Selected Monolitic and Hybrid Circuits. XX ISHM-Poland Chapter Annual Conference and Exhibition, Jurata 1996, s. 98.
    7. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.:Zagadnienia termiczne w pracach badawczych zespołu modelowania elementów półprzewodnikowych i analizy układów elektronicznych. Materiały I Seminarium Zagadnienia Termiczne w ElektroniceTERMIK'96, Szklarska Poręba 1996, s. 25.
    8. Górecki K.,Zarębski J.: Układ do automatycznego pomiaru stałoprądowych nieizotermicznych charakterystyk wybranych elementów półprzewodnikowych. XXVIII Międzyuczelniana Konferencja Metrologów MKM, Częstochowa 1996, t.1, s. 192.
    9. Górecki K.,Zarębski J.: Układ do pomiaru małosygnałowych nieizotermicznych parametrów tranzystora bipolarnego. X Konferencja Naukowo-Techniczna "Zastosowanie mikroprocesorów w automatyce i pomiarach", Warszawa 1996, t. 1., s. 250.
    10. Górecki K.,Zarębski J.: The Circuit to Measure the Small Signal Nonisothermal Parameters of the BJT. X Polish National Conference "Application of Microprocessors in Automatic Control and Measurements", Warszawa 1996, Vol. 2., p. 126.
  • 1995
    1. Zarębski J., Górecki K.:A Method of the BJT Transient Thermal Impedance Measurement with Double Junction Calibration. 11-th IEEE SEMI-THERM, San Jose 1995, p. 80.
    2. Górecki K.,Zarębski J., Stepowicz W.J.:Elektryczna i elektrotermiczna analiza układów elektronicznych. VI Sympozjum Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki, Ustroń 1995, s. 47.
    3. Zarębski J., Górecki K.:Nowa metoda pomiaru rezystancji szeregowych tranzystora bipolarnego. XXVII Międzyuczelniana Konferencja Metrologów MKM'95, Zielona Góra 1995, s. 456.
    4. Zarębski J., Stepowicz W.J.:Influence of Selfheating on the Low-frequency Voltage Gain of the Amplifier with the BJT. 12-th European Conf. on Circ. Theory and Design - ECCTD'95, Istambuł 1995, Vol. 2, p. 635.
    5. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Nieizotermiczna małosygnałowa impedancja wejściowa tranzystora bipolarnego. XVIII Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Ustroń 1995, t. 2, s. 219.
    6. Zarębski J., Górecki K.:D.C. Electrothermal Hybrid BJT Model for SPICE. 6-th Simulation of Semiconductor Devices and Processes - SISDEP'95, Erlangen 1995, Vol. 6, p. 306.
    7. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Effect of Mutual Electrothermal Interactions in IC's on the Output Admittance of the BJT. XVIII Nat. Conf. Circ. Theory and Electronic Circuits, Polana Zgorzelisko 1995, Vol. 1, p.203.
  • 1994
    1. Zarębski J.: The Time Dependence Calculations of the Junction Temperature of Semiconductor Devices. Int. Journal of Microcomputer Applications , Vol. 13, No. 2, June 1994, p. 62.
    2. Zarębski J.: Identification of the Transient Thermal Impedance Parameters of the Bipolar Transistor. XIII IMEKO World Congress, Torino 1994, Vol. 2, p. 1322.
    3. Zarębski J., Górecki K.:Symulacja oddziaływań elektrotermicznych w układach tranzystorowych za pomocą programu SPICE. XVII Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Wisła 1994, t. 2, s. 407.
    4. Zarębski J, Górecki K.:Pomiar rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego metodą impulsową z przełączaniem kierunku polaryzacji złącza. XXVI Międzyuczelniana Konf. Metrol., Zesz. Nauk. WSI w Opolu, nr 203, Elektryka, z. 40, t. II, Opole 1994, s. 147.
    5. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Influence of Selfheating on the Output Admittance of the BJT. XVII Nat. Conf. Circ. Theory and Electronic Networks, Polanica Zdr. 1994, Vol. 2, p. 401.
    6. Zarębski J., Górecki K.:System mikrokomputerowy do automatycznego pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych IX Kraj. Konf. Naukowo-Techniczna: Zastosowanie Mikroprocesorów w Automatyce i Pomiarach, Warszawa 1994, s. 117.
  • 1993
    1. Zarębski J., Górecki K.:Mikrokomputerowy system pomiarowy do wyznaczania rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego. Pomiary, Automatyka, Kontrola, nr 9, 1993, s. 209.
    2. Zarębski J.: A New Form of the BJT Model Including Electrothermal Interactions. 11-th European Conf. on Circuit Theory and Design - ECCTD'93, Davos 1993, Vol. 1, p. 431.
    3. Zarębski J., Górecki K.:Pomiar rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych z wykorzystaniem systemu mikrokomputerowego. Podstawowe Problemy Energoelektroniki - PPEV, Ustroń 1993, s. 463.
    4. Zarębski J., Górecki K.:System mikrokomputerowy do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych. XXV Międzyuczelniana Konf. Metrologów, Gliwice - Ustroń 1993, s. 357.
    5. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Przebicie termiczne w krzemowych diodach ze złączem p-n. XVI Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Ustroń 1993, t. 1, s. 261.
    6. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: The Nonisothermal Differential Output Conductance of the BJT. XVI Nat. Conf. Circuit Theory and Electronic Circuits, Kołobrzeg 1993, Vol. 1, p. 284.
    7. Janke W.,Zarębski J.: Memoryless Algorithms for Deconvolution Calculations in Time Domain. Zesz. Nauk. WSM w Gdyni, 1993, No. 25, p. 48.
    8. Zarębski J., Górecki K.:Wybrane problemy stałoprądowej analizy obwodów tranzystorowych w obecności oddziaływań elektrotermicznych. Zesz. Nauk. WSM w Gdyni, 1993, nr 25, s. 86.
    9. Zarębski J.: Zastosowanie bezpamięciowej metody obliczania całki splotu w analizie liniowych obwodów dynamicznych. Zesz. Nauk. WSM w Gdyni, 1993, nr 25, s. 71.
    10. Zarębski J.: A New Method of the Measurement of the Thermal Resistance of the Bipolar Transistor. 5-th Int. Symp. on Temperature and Thermal Measurement in Industry and Science - TEMPMEKO'93, Praga 1993, p. 201.
    11. Zarębski J., Górecki K.:Thermal Transients in Bipolar Transistors; Measurements and Simulations. Int. Conf. on Information and Systems Methods Applied to Engineering Problems, Malta 1993, Vol. 2, p. 111.
    12. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: The Nonisothermal Differential Output Conductance of the Voltage-driven BJT. Int. Conf. on Information and Systems Methods Applied to Engineering Problems, Malta 1993, Vol. 2, p. 103.
  • 1992
    1. Zarębski J.: A Large-signal Analysis of Electrothermal Interactions in Electronic Circuits. IEEE Int. Symp. on Circuits and Systems - ISCAS'92, San Diego 1992, Vol. 3, p. 1404.
    2. Zarębski J., Citko W.:Zmiennokrokowy algorytm elektrotermicznej analizy dynamicznej obwodów nieliniowych. XV Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Wisła 1992, t. 1, s. 391.
    3. Zarębski J., Górecki K.:Statyczna metoda pomiaru rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego. XV Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Wisła 1992, t. 1, s. 395.
    4. Zarębski J.: Junction Temperature of Semiconductor Devices Calculations in Transients States. AMSE Press, V. 46, N. 1, 1992
    5. Zarębski J.: Simulation Algorithms of the Junction Temperature Transients in Semiconductor Devices. Int. Conf. Modelling, Simulations and Control, Hefei 1992, USTC Press, Vol. 4, p. 2144.
    6. Zarębski J., Górecki K.:The Simple Method of Bipolar Transistors Thermal Impedance Measurement. Int. Multiconference Signals, Data, Systems, Kalkutta, Indie, V. 3, 1992, s. 207.
  • 1991
    1. Zarębski J.: Metody elektrotermicznej analizy stałoprądowej układów elektronicznych. Zesz. Nauk. Polit. Gdańskiej, Elektronika LXVI, nr 442, 1991, s. 3.
    2. Janke W.,Zarębski J.: Badanie elektrotermicznych stanów przejściowych w układzie wzmacniacza tranzystorowego. Zesz. Nauk. Polit. Gdańskiej, Elektronika LXVI, nr 442, 1991, s. 21.
    3. Zarębski J., Citko W.:Elektrotermiczna analiza nieliniowych obwodów dynamicznych z wykorzystaniem bezpamięciowych algorytmów obliczania całki splotu. XIV Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Wisła 1991, s. 401.
    4. Zarębski J.: Analysis of Electrical and Thermal Transients in Electronic Circuits. Int. Conf. Neural Networks, San Diego 1991, p. 263.
    5. Zarębski J.: A New Method of Dynamic Linear Systems Analysis Based on the Memoryless Algorithms of Convolution Calculations. 13-th IMACS World Congress on Computation and Applied Mathematics, Dublin 1991, Vol. 4, p. 1719.
    6. Zarębski J.: Simulation of Electrothermal Interactions in Electronic Circuits in Dynamic Case. XIV Nat. Conf. on Circuit Theory and Electronic Circuits, Waplewo 1991, Vol. 1, p. 203.
    7. Zarębski J., Janke W.:The Application of Modified Methods of Numerical Integration in the Algorithms of the Convolution and Deconvolution. Int. Confer. on Information and Systems (ICIS), Hangzhou, Chiny 1991, V. 2, s. 571.
    8. Zarębski J., Stepowicz W.J., Tollik D.:Zbiór zadań z elementów elektronicznych. Wydawnictwo WSM w Gdyni, Gdynia 1991 (1. wydanie), 1994 (2. wydanie).
  • 1990
    1. Zarębski J.: The Global Convergence in the D.C. Analysis of Electronic Circuits. Joint Proceedings WSM Gdynia - Hochschule Bremerhaven, No. 4, 1990, p. 73.
    2. Zarębski J.: Zastosowanie metody kontynuacji w elektrotermicznej analizie układów elektronicznych. XIII Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Wisła 1990, s. 253.
    3. Janke W.,Zarębski J.: Nowa metoda obliczania całki splotu. VI Kraj. Symp. Nauk Radiowych, Warszawa 1990, sc-41.
    4. Zarębski J.: Szybkie algorytmy obliczania całki splotu z wykorzystaniem wzorów Newtona-Cotesa. Kraj. Symp. Nauk Radiowych, Warszawa 1990, s. 253.
    5. Janke W.,Zarębski J.: Fast Algorithm for the Special Case Convolution and Deconvolution Calculations. IEEE Int. Symp. on Circuits and Systems - ISCAS'90, New Orleans-Louisiana 1990, Vol. 3, p. 2377.
    6. Zarębski J.: Using of the Modified Memoryless Method to Convolution Integral Calculations. Int. Symp. on System-Modelling-Control, Zakopane 1990, Vol. 3, p. 205.
    7. Zarębski J.: Analysis of Electronic Circuits with Electrothermal Interactions taken into Account. Int. Symp. on System-Modelling-Control, Zakopane 1990, Vol. 3, p. 200.
    8. Zarębski J.: The Problem of Multiple Solutions Existence in Resistive Nonlinear Circuits Analysis Including Electrothermal Interactions. Int. Conf. on Signals and Systems, Cetinje 1990, Vol. 3, p. 161.
    9. Zarębski J.: The Memoryless Method of Convolution Calculations Based on the Richardson's Extrapolation Approach. Int. Conf. on Signals and Systems, Cetinje 1990, Vol. 1, p. 75.
    10. Zarębski J.: The Global Electrothermal Model of a Bipolar Transistor for D.C. Electronic Circuits Analysis. Int Conf. Communication, Control and Electronics COMCONEL'90, Kair 1990, p. 235.
    11. Janke W.,Zarębski J.: The Memoryless Method of Numerical Calculations of Convolution Integral. Int. Conf. Communication, Control and Electronics COMCONEL'90, Kair 1990, s. 115.
    12. Zarębski J., Citko W.:Program CONAL do elektrotermicznej stałoprądowej analizy układów nieliniowych. Raport z realizacji CPBP 02.14. 1990.
    13. Zarębski J., Citko W.:Analiza obwodów nieliniowych z inercją elektryczną i termiczną oparta na bezpamięciowej metodzie obliczania całki splotu. Raport z realizacji CPBP 02.14.1990.
    14. Zarębski J., Janke W.:Analysis of Electrothermal Interactions in Electronic Circuits in Transient States. Scientific Journal of Merchant Marine Academy of Gdynia, No. 3, 1990, p. 65.
  • 1989
    1. Janke W.,Zarębski J.: Modele elementów półprzewodnikowych do analizy oddziaływań elektrotermicznych w układach elektronicznych. Zesz. Nauk. WSM w Gdyni, 1989, s. 5.
    2. Zarębski J., Janke W.:Wielkosygnałowa analiza dynamiczna pewnej klasy obwodów elektronicznych. XII Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Wisła 1989, s. 488.
    3. Zarębski J.: A Novel Algorithm for Simulation of Dynamic Thermal Effects in Electronic Circuits. VI Int. NASECODE Conf., Dublin 1989, p. 344.
    4. Janke W.,Zarębski J.: Szybkie algorytmy obliczeń przejściowych przebiegów termicznych w elementach elektronicznych. XII Kraj. Konf. Teoria Obwodów i Układy Elektroniczne, Rzeszów-Myczkowce 1989, s. 251.
    5. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Laboratorium z elementów elektronicznych. Wydawnictwo WSM w Gdyni, Gdynia 1989 (wydanie 1), 1994 (2. wydanie).
  • 1988
    1. Janke W.,Zarębski J.: Simulation of Electrothermal Interactions in Electronic Circuits. Zesz. Nauk. WSM w Gdyni, 1988, p. 55.
  • 1987
    1. Zarębski J., Janke W.:Badanie oddziaływań elektrotermicznych w równoległym połączeniu tranzystorów mocy. V Kraj. Symp. Nauk Radiowych, Toruń 1987, s. 1932.
    2. Janke W., Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Metody obliczania przejściowych przebiegów termicznych w układach elektronicznych. X Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Wisła 1987, s. 261.
    3. Zarębski J., Janke W., Stepowicz W.J.:Analysis of Electrothermal Transients in Electronic Circuits. 7-th Intern. Conf. on Control, Systems and Computer Science, Bukareszt 1987, p. 356.
    4. Janke W.,Zarębski J.: Modelling and Analysis of Electrothermal Interactions in Electronic Circuits. Intern. Conf. Modelling and Simulations, Karlshrue 1987, V. 2A, p. 121.
    5. Zarębski J., Janke W., Stepowicz W.J.:Analiza oddziaływań elektrotermicznych w układach elektronicznych. Symp. Podstawowe Problemy Energoelektroniki-IV, Wisła 1987, s. 144.
  • 1986
    1. Zarębski J.: Elektrotermiczna analiza stałoprądowa. IX Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Wisła 1986, s. 163.
    2. Zarębski J., Janke W.:Komputerowy program analizy oddziaływań elektrotermicznych w układach elektronicznych. IX Kraj. Konf. Teoria Obwodów i Układy Elektroniczne, Szklarska Poręba 1986, s. 167.
    3. Zarębski J.: Wielkosygnałowa analiza oddziaływań elektrotermicznych w układach półprzewodnikowych. Rozprawa doktorska. Politechnika Gdańska, Gdańsk 1986.
  • 1985
    1. Janke W.,Zarębski J.: Nowy sposób analizy elektrotermicznych stanów przejściowych w układach elektronicznych. VII Seminarium z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Ustroń 1985, s. 137.
    2. Janke W.,Zarębski J.: Modelowanie i analiza oddziaływań elektrotermicznych w przypadku wielkosygnałowym. VIII Kraj. Konf. Teoria Obwodów i Układy Elektroniczne, Poznań 1985, s. 241.
    3. Janke W.,Zarębski J.: Problemy identyfikacji parametrów modeli elementów półprzewodnikowych. Zesz. Nauk. WSM w Gdyni, 1985, s. 18.
    4. Zarębski J., Janke W., Kuchta J.:Metoda wyznaczania przejściowej impedancji termicznej tranzystorów bipolarnych. VI Kraj. Konf. M.E.P.iU.S., Sobieszewo 1985, s. 104.
    5. Janke W.,Zarębski J.: Bezpamięciowa metoda analizy elektrotermicznych stanów przejściowych. VIII Kraj. Konf. Teoria Obwodów i Układy Elektroniczne, Poznań 1985, s. 303.
  • 1984
    1. Janke W.,Zarębski J.: Nowa postać nieizotermicznego modelu tranzystora bipolarnego. Konf. z okazji XV-lecia Wydz. Elektrycznego WSM w Gdyni, 1984, s. 157.
    2. Janke W.,Zarębski J.: Nieizotermiczne charakterystyki tranzystorowego układu wzmacniającego. Część I: Analiza i obliczenia. Zeszyty Nauk. WSM w Gdyni, 1984, s. 25.
    3. Janke W.,Zarębski J.: Nieizotermiczne charakterystyki tranzystorowego układu wzmacniającego. Część II: Weryfikacja eksperymentalna i wnioski. Zesz. Nauk WSM w Gdyni, 1984, s. 45.
    4. Stepowicz W.J.,Zarębski J.: Temperatura krytyczna elementów półprzewodnikowych. Konf. z okazji XV-lecia Wydz. Elektrycznego WSM w Gdyni, 1984, s. 167.
    5. Janke W.,Zarębski J.: Elektrotermiczne stowarzyszone modele drugiego rodzaju i ich zastosowanie w analizie stanów przejściowych. VII Kraj. Konf. Teoria Obwodów i Układy Elektroniczne, Kazimierz Dolny 1984, s. 225.
  • 1983
    1. Janke W.,Zarębski J.: Badanie nieizotermicznych charakterystyk statycznych bipolarnego tranzystora mocy. Zesz. Nauk. WSM w Gdyni, 1983, s. 19.
  • 1978
    1. Wieland J., Kuchta J., Węgrzynowicz W., Kosz B.,Zarębski J., Rzepa H.:Metody pomiaru parametrów struktur triakowych i diakowych. Praca naukowo-badawcza Instytutu Automatyki i Radiokomunikacji Morskiej WSM w Gdyni, Gdynia 1978.
    2. Janke W.,Zarębski J.: Model tranzystora bipolarnego dla analizy zniekształceń. II Kraj. Konf. Teorii Obwodów i Układy Elektroniczne, Trzebieszowice 1978, s. 240.

Podmiot udostępniający: 

WE

Wytworzył informację:

Ł.Buchert
16.04.2020
Wprowadzenie:
Ł.Buchert 16.04.2020
Ostatnia modyfikacja:
Ł.Buchert 06.10.2020